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ULSI栅氧化层可靠性(GOI)测试 复旦大学 硕士学位论文 ULSI栅氧化层可靠性（GOI）测试 姓名：胡轶强 申请学位级别：硕士 专业：电子与通信工程指导教师：汤庭鳌 论文独创性声明 本论文是我个人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。论文中除了特另ｔＩＤＨ以标注和致谢的地方外，不包含其他人或其它机构已经发表或撰写过的研究成果。其他同志对本研究的启发和所做的贡献均己在论文中作了明确的声明并表示了谢意。 作者签名坶日期：！芝：！：夕 论文使用授权声明 本人完全了解复旦大学有关保留、使用学位论文的规定，即：学校有权保留送交论文的复印件，允许论文被查阅和借阅；学校可以公布论文的全部或部分内容，可以采用影印、缩印或其它复制手段保存论文。保密的论文在解密后遵守此规定。 作者签名：导师签名： 摘要 随着技术的不断发展，集成电路的栅氧化层的厚度也由２０．３０ｒｉｍ降至ｌｎｍ以下。栅氧化层不断向薄膜方向发展，而电源电压却不宜降低。在较高的电场强度下，势必使栅氧化层的性能成为一个突出的问题。栅氧抗电性能不好将引起ＭＯＳ器件电参数不稳定，如：阂值电压漂移，跨导下降、漏电流增加等，进一步可引起栅氧的击穿，导致器件的失效，使整个集成电路陷入瘫痪状态。因此，栅氧化膜的击穿，包括与时间有关的击穿（ＴＤＤＢ）和零时击穿（ＴＺＤＢ），多年来一直是超大规模集成电路可靠性研究领域关注的热点，也是限制集成度提高的重要原因。 而工艺的发展，对ＧＯＩ的测试技术也提出了新的挑战。随着栅氧化层厚度的变化，新材料的引入，传统的ＧＯＩ测试方法已经远远不能满足工艺的进步。本文就已有的测试项目ＴＤＤＢ，根据国外前沿的研究结果，提出了一些新的测试方案，并在Ｃ语言的环境下实现算法，结合Ｋｅｉｔｈｌｅｙ￥９００和ＴＥＬ—Ｐ８测试系统，用于测试０．１３ｕｍ工艺的栅氧化层寿命。数据分析部分，本文没有使用特殊的分析工具，而是使用常用的办公室软件一微软公司的ＭＳＥｘｃｅｌ，便于推广操作。 同时，我们将ＧＯＩ的测试方法进一步推广，用于动态存储器电容可靠性评估。作为新一代的ＤＲＡＭ电容，三氧化二铝电容的可靠性测试是在高温低压下完成，这样可缩短测试时间，同时，也可以减少漏电流。在Ｖｒａｍｐ和ＴＤＤＢ测试中，我们采用在工作电压下测量漏电流，以避免背景电流的影响。同时在Ｖｒａｍｐ测试中也考虑到电容充电过程的影响。三氧化二铝电容的失效过程分为三个步骤，单一Ｗｅｉｂｕｌｌ分布是无法模拟的。应力电压在栅氧化层中起着重要的作用。我们扩展了最／ｊ，－乘法（ＬＳＥ）来计算不同应力条件下的共同Ｗｅｉｂｕｌｌ斜率，用以测定使用寿命。 关键词：集成电路，半导体可靠性，栅氧可靠性，ＧＯＩ，超薄氧化层中图分类号：ＴＮ４ Ａｂｓｔｒａｃｔ Ｗｉｔｈｔｈｅｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔｏｆｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，ｇａｔｅｏｘｉｄｅｔｈｉｃｋｎｅｓｓｏｆＩＣｉｓｓｃａｌｉｎｇｆｒｏｍ２０．３０ｎｍ ｄｅｖｉｃｅ ｔｏＩｎｍｂｅｌｏｗ．Ｉｎｓｐｉｔｅｏｆｏｘｉｄｅｔｈｉｃｋｎｅｓｓｄｅｃｒｅａｓｉｎｇ，ｏｐｅｒａｔｉｏｎｖｏｌｔａｇｅｏｆ ｃａｌｌ ｃａｔｃｈｕｐ．Ｕｎｄｅｒｈｉｇｈｅｌｅｃｔｒｉｃｆｉｅｌｄ，ｇａｔｅｏｘｉｄｅｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅｂｅｃｏｍｅｓｍｏｒｅ ｇａｔｅｏｘｉｄｅｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ ａｎｄｍｏｒｅ ｓｉｇｎｉｆｉｃａｎｔ．Ｐｏｏｒ ｐｒｏｐｅｒｔｙｗｉｌｌｒｅｓｕｌｔｉｎｔｍｓｔａｂｌｉｌｉｔｙｏｆ ＭＯＳＦＥＴ，ｓｕｃｈ鹤ｔｈｒｅｔｈｏｄｖｏｌｔａｇｅｓｈｉｆｔ，ｄｅｇｒａｔｉｏｎｏｆＣａｎ，ｉｎｃｒｅａｓｉｎｇｏｆｌｅａｋａｇｅ，ｅｔｅ． Ｅｖｅｎ ｂｒｅａｋｄｏｗｎ ｏｆｏｘｉｄｅ，ｉｎｄｕｃｅｆａｉｌｕｒｅｏｆＭＯＳＦＥＴ＇ａｎｄ ｏｆｇａｔｅ ｔｈｅｗｈｏｌｅＩＣ． Ｈｅｎｃｅ，ｂｒｅａｋｄｏｗｎ ｏｘｉｄｅ，ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ下ＤＤＢ（Ｔｉｍｅ ＺｅｒｏＤｉｅｌｅｃｔｒｉｃｏｆｔｈｅｍｏｓｔ Ｄｅｐｅｎｄｅｎｃｅ Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｂｒｅａｋｄｏｗｎ）ａｎｄ ＶＬＳＩｒｅｌｉａｂｉｌｉｔｙｉｎｔｅｒｇｒａｔｉｏｎ． ＴＺＤＢ（Ｔｉｍｅｆｉｅｌｄ，ａｎｄ Ｂｒｅａｋｄｏｗｎ）ｉｓｉｍｐｏｒｔａｎｔ ｒｏｏｔ ａｌｗａｙｓｔｈｅｈｏｔｓｐｏｔｉｎ ｃａｕｓｅｓ ｏｎｅ ｗｈｉｃｈｌｉｍｉｔａｔｅ