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简论一种X波段波导缝隙天线的设计与仿真的论文
摘 要:给出了波导缝隙天线设计步骤,设计一种x波段波导缝隙天线,计算了天线口径、波导数量、缝隙的单元数量、宽度、位置等参数,设计半高波导宽臂耦合谐振缝魔t和差器,在此基础上完成了天线设计。仿真结果表明,当中心频率为12 ghz时,和波束增益为28.9 db,第一副瓣电平为-22.2 db,所设计的天线形式可获得较好的和、差波束方向图、电压驻波比和增益等参数。
关键词:波导缝隙天线; 低副瓣; 辐射缝隙; 和差器
design and simulation of ber of eters of aperture including number, coupling resonant aperture magic t parator ulation results indicate that gain of the sum beam is 28.9 db and the first side lobe is -22.2 db at 12 ghz. the antenna can attain good parameters such as sum and subtract pattern, voltage stand
波导缝隙天线在设计方面具有较大的灵活性,可调整和优化的参数多,较易实现高效率、超低副瓣和高增益,还具有承受功率高,结构紧凑等优点,得到了广泛的研究和应用[1-2]。
波导缝隙平板阵列天线主要由辐射阵面、馈电波导及和差器等三部分组成,本文对此分别进行了阐述,计算了天线口径相关参数,设计了和差器和馈电网络,并对设计结果进行了仿真计算。
1 天线辐射阵面设计
1.1 天线口径相关参数计算
首先根据天线的波束宽度和副瓣电平要求计算口径尺寸d,然后把d代入增益g公式,看是否满足增益要求;最后根据增益和波束宽度,对天线口径进行修正,使其同时符合两者要求[3-4]。
单脉冲天线的口径一般分成四个象限,每个象限构成一个独立的子阵,每个子阵是90°的扇形,无法实现理想的泰勒分布,因此设计时要留出适当的余量。最大副瓣电平为r0,天线主瓣峰值电平与最大副瓣电平的电压比值为:
η=10-r010
(1)
选择泰勒圆口径分布,波束宽度因子为:
β0=(arcch η)2-arcchη22
波束展宽因子不仅与副瓣电平有关,而且与等副瓣电平的副瓣数n有关[1]:
σ=μna2+(n-0.5)2
式中:a=arcosh η/π;μn为第一类一阶贝塞尔函数的第 n个根。天线的波束宽度为:
2θ0.5=σβ0λd
(4)
阵面直径确定后,根据波导尺寸计算阵面波导数。阵面圆心为扇面的公共点,波导的排列相对阵面中心对称。半个阵面上平行放置的波导数为:
n≤d2(a+2t)
(5)
式中:a为波导宽边内尺寸;t为波导壁厚。
1.2 阵面缝隙单元数计算
对于圆形阵列天线,组成阵面的波导长度各不相同。进行阵面设计时,先对各根波导容许的极限长度做出计算,以考虑每根波导上缝隙的数量。从中心算起,每根波导的极限长度为:
li=r2-[i(a+2t)]2
(6)
式中:li代表由中心算起第i根波导的长度,i=1, 2,…,r为阵面半径。
辐射缝隙开在波导宽壁上,为纵向并联缝隙。为保证谐振条件,各缝隙应同相,这要求交叉位于波导中心线两侧的相邻缝隙间距d=λg/2,λg为波导波长。
采用谐振缝隙阵,第一条和最末一条缝隙在距中心为λg/4处短路。长度为li的波导,缝隙数为:
ni≤2(li-2t)λg
(7)
1.3 辐射阵面设计
子阵面辐射中心选在离阵面中心为(0.3~0.4)r的范围内,接近45°角斜方向上的那个缝隙位置。辐射中心的缝隙场强是子阵面中最强的。计算场分布时,将辐射中心位置定为坐标原点。
子阵的辐射中心定为原点,距原点最远的缝的距离为半径aa,根据场强分布曲线,求出每条缝隙对应的场强值,确定其偏离波导中心线的位置。圆口径泰勒场分布[2]:
f(p)=∑n-1m=0fmj0(μmp)[j0(μmπ)]2,p=πρaa
(8)
式中:
f(m)=1, m=0
-j0(μmπ)∏n-1n=11-μmzn2∏n-1n=1(n≠m)1-μmμn2,1≤m≤n-1;
μm为j1(πx)的第m个根;zn=±σ[a2+(n-05)2]1/2。
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