超大规模集成电路与设计绪论.ppt

超大规模集成电路分析与设计VLSI Analysis and Design;教材（I）;参考教材（II）;教学与考试安排;课程介绍（I）;专业英语;1.1 集成电路的发展(1);1.1 集成电路的发展(2);1.1 集成电路的发展(3);1.1 集成电路的发展(4);1.1 集成电路的发展(5);1.2集成电路设计的发展（1）;1.2集成电路设计的发展（2）;1.2集成电路设计的发展（3）;1.3 VLSI设计的要求;1.4 VLSI的设计方法（1）;1.4 VLSI的设计方法（2）;1.4 VLSI的设计方法（3）;2. CMOS集成电路制造技术;2.2 硅片的制备 （1）;2.2 硅片的制备 （2）;2.2 硅片的制备 （3）;2.2 硅片的制备 （4）;2.2 硅片的制备 （5）;2.2 硅片的制备 （6）;2.2 硅片的制备 （7）;2.2 硅片的制备 （8）;2.3 集成电路工艺概况（1）;2.3 集成电路工艺概况（2）;2.3 集成电路工艺概况（3）;2.3 集成电路工艺概况（4）;2.3 集成电路工艺概况（5）;2.3 集成电路工艺概况（6）;2.4 氧化（1）;2.4 氧化（2）;2.4 氧化（3）;2.4 氧化（4）;2.4 氧化（5）;2.4 氧化（6）;2.4 氧化（7）;2.5 淀积（1）;2.5 淀积（2）;2.5 淀积（3）;2.5 淀积（4）;2.5 淀积（5）;2.5 淀积（6）;2.5 淀积（7）;2.5 淀积（8）;2.5 淀积（9）;2.5 淀积（10）;2.5 淀积（11）;2.6 金属化（1）;2.6 金属化（2）;2.6 金属化（3）;2.6 金属化（4）;2.6 金属化（5）;2.6 金属化（6）;2.6 金属化（7）;2.6 金属化（8）;2.6 金属化（9）;2.6 金属化（10）;2.6 金属化（11）;2.6 金属化（12）;2.7 刻蚀（1）;2.7 刻蚀（2）;2.7 刻蚀（3）;2.7 刻蚀（4）;2.7 刻蚀（5）;2.7 刻蚀（6）;2.7 刻蚀（7）;2.7 刻蚀（8）;2.7 刻蚀（9）;2.7 刻蚀（10）;2.7 掺杂（1）;2.7 掺杂（2）;2.7 掺杂（3）;2.7 掺杂（4）;2.7 掺杂（5）;2.7 掺杂（6）;2.7 掺杂（7）;2.7 掺杂（8）;2.7 掺杂（9）;2.7 掺杂（10）;2.7 掺杂（11）;2.7 掺杂（12）;2.7 光刻（1）;2.7 光刻（2）;2.7 光刻（3）;2.7 光刻（4）;2.7 光刻（5）;2.7 光刻（6）;2.7 光刻（7）;2.7 光刻（8）;2.7 光刻（9）;2.7 光刻（10）;2.7 光刻（11）;2.7 光刻（12）;2.7 光刻（13）;2.7 光刻（14）;2.7 光刻（15）;2.7 光刻（16）;2.7 光刻（17）;2.7 光刻（18）;2.7 光刻（19）;2.7 光刻（7）;2.8 CMOS反向器制作步骤(1);2.8 CMOS反向器制作步骤(2);2.8 CMOS反向器制作步骤(3);2.8 CMOS反向器制作步骤(4);2.8 CMOS反向器制作步骤(5);2.8 CMOS反向器制作步骤(6);2.8 CMOS反向器制作步骤(7);2.8 CMOS反向器制作步骤(8);2.8 CMOS反向器制作步骤(9);2.8 CMOS反向器制作步骤(10);4.1.5 栅-源直流输入电阻;4.1.5 栅-源直流输入电阻;4.1.6 栅-源击穿电压;4.1.7 漏-源击穿电压;4.2 CMOS电路功耗;4.2.1 CMOS的静态功耗;4.2.2 CMOS电路的动态功耗(1);4.2.2 CMOS电路的动态功耗(2);4.2.2 CMOS电路的动态功耗(3);4.2.3电路总功耗;4.2.4 功耗管理;4.3 信号传输延迟;4.3.1 CMOS门延迟（1）;4.3.1 CMOS门延迟（2）;4.3.1 CMOS门延迟（3）;4.3.1 CMOS门延迟（4）;4.3.1 CMOS门延迟（5）;4.3.1 CMOS门延迟（6）;4.3.1 CMOS门延迟（7）;4.3.1 CMOS门延迟（8）;4.3.1 CMOS门延迟（9）;4.3.2 连线延迟（1）;4.3.2 连线延迟（2）;4.3.2 连线延迟（2）;4.3.3 电路扇出延迟;4.3.4 大电容负载驱动电路（1）;4.3.4 大电容负载驱动电路（2）;4.3.4 大电容负载驱动电路（3）;4.3.4 大电容负载驱动电路（4）;4.4.1 CMOS电路的闸流(1);4.4.2闸流效应的控制;5.1.1 MOS管的串联特性 （1）;5.1.1 MOS管的串联特性 （2）;5.1.1 MOS管的并联特性 （1）;