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MOSFET.04直流特性
§3、 MOSFET的直流特性;基本方程;器件结构;基本假定
衬底均匀掺杂
氧化层中面电荷密度Q0为常数
忽略源、漏区体电阻
忽略源、漏PN结和场感应结的反向漏电流
长、宽沟MOSFET：WLToxXc
反型层载流子迁移率为常数，其值取位于栅和漏平均电场处的表面迁移率，尽管 与Ex、Ey都有关。;缓变沟道近似*
数学表示式：
Poission 方程变成一维：
忽略空穴电流*，只考虑电子电流Jn，平且假定电流只沿Y方向流动*
强反型近似成立Strong Inversion Approximation
假定沟道强反型后，沟道电流是由漂移而非扩散产生的
不考虑复合与产生。稳态时，Jn的散度为0。即沟道区的任何一点上，总的漏电流IDS是一样的;根据上述假设，沟道中任意一点的电流密度：;（强反型近似）;一级近似模型：
MOSFET线性区;一级近似模型：
MOSFET线性区;non-physical;夹断点的漏电流;夹断的条件：
Qi(Y=L)=0
漏???流达到最大
夹断时的源漏电压：VDS=VDsat=VGS-VTn
夹断后，VDS再增加：
增加的部分全部降落在夹断区
夹断点向源端方向移动，夹断区展宽
夹断区是耗尽区
若L ?L，漏电流维持在IDsat;沟道长度调制效应（CLM）;一级近似模型：结论;体电荷模型（Bulk charge Model）;体电荷模型（Bulk charge Model）;平方根近似;亚阈值电流（1） ;亚阈值电流（2） ;亚阈值斜率S
表征亚阈值区的重要参数
物理意义是器件从导通电流减小到截至电流时所要求的栅压的变化量，也称为栅压摆幅。
定义为亚阈值电流每变化10倍（一个数量级）所要求的栅压的变化量*。
S的单位：V/dec
S越小器件的开关特性越好;测量得到的亚阈值电流数据。半对数坐标系中的亚阈值电流为直线。直线斜率的倒数S定义为亚阈值斜率的倒数（简称为亚阈值斜率）;理论上，S的最小值为：Smin=60 (mV/decade)
现代典型工艺S值的范围：70～120 (mV/decade);模型的缺陷;模型的缺陷（2）;Pao-Sah 模型和薄层电荷模型;MOS亚阈值特性
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