ESD防护在变流器功率单元组装中的应用.docVIP

——————————————————————————————————————————————— ESD防护在变流器功率单元组装中的应用 ｌ三至主茎查！Ｇ。ｎｇＹｉ ＶｕＪｉｓｎｕ ＥＳＤ防护在变流器功率单元组装中的应用 田红纬蔡旭陆震宇 （上海交通大学电子信息与电气工程学院电气工程系，上海２００２４０） 摘要：针对风电变流器生产过程中的失效问题，根据实际测试中的失效案例，结合关键器件ＩＧＢＴ的电器特性和ＥｓＤ的损伤机理，深入分析了ＩＧＢＴ故障损伤模式和ＥＳＤ之间的关系，提出了在功率单元制造中对ＧＢＴ封装的存储、转运、模块组装、功率单元组装等关键工艺流程采取ＥＳＤ防护的具体方法和措施。实际测试证明，所采取的ＥＳＤ防护措施在功率单元组装过程中可以明显消除ＥＳＤ对ＩＧＢＴ的损伤，避免了因ＥＳＤ造成的部分电路损伤而引起的ＩＧＢＴ测试严重失效问题，大大降低了风电变流器制造测试中ＧＢＴ功率单元 的失效比率。 关键词：风力发电；变流器生产；ＩＧＢＴ功率单元组装；ＥＳＤ防护 ０引言 随着太阳能、风能等可再生绿色能源近些年的蓬勃发展，特别是风力发电的大规模应用，市场对风电设备的需求越来越大。风电设备制造过程中工艺控制对生产的效率和产品的可靠性有重要影响。笔者在多年的风电变流器的组装制造和测试过程中发现，电子控制元件及变流器关键元件ＩＧＢＴ的失效在生产过程中占到总变流器测试失效数量的５０％；同时在对变流器功率单元失效模式的研究中发现，影响功率单元失效的原因除了ＩＧＢＴ本身的质量和驱动保护电路设计之外，生产过程中功率单元组装的工艺控制也很重要。由于目前主流大功率ＩＧＢＴ质量相对稳定，相关驱动保护电路的研究和应用也比较成熟，因此在工厂生产组装测试过程中提高变流器ＩＧＢＴ功率单元测试通过率行之有效的手段就是生产工艺控制，而在实际组装测试过程中，可靠的ＥＳＤ防护则能有效地减少ＩＧＩ汀的损伤。 １ ＩＧＢＴ的ＥＳＤ损伤机理 １．１静电的产生和危害 静电和ＥＳＤ伴随着电子学的发展而发展，然而随着电子元器件的尺寸越来越小、运行速度越来越高，元器件对ＥｓＤ的敏感性也逐渐增强。在现今电子环境中，ＥＳＤ已在很大程度上影响了电子产品的生产效率和产品的可靠性，尽管人们在过去的几十年采取了很多措施，但ＥＳＤ还是持续地影响生产效率、生产成本、产品质量和产品可靠性。据有关专家统计，由ＥｓＤ造成的损失占总损失的８％～３３％，造成的直接经济损失在１０亿美金左右。虽然单个二极管本身的价值可能很小，但是由于其失效造成的系统失效价值却很高，而且这种失效往往还需要修理、返工。 ＥＳＤ是指不同电势的物体之间的电荷转移。ＥＳＤ可以造成半导体器件的电器特性退化或损毁，也可能扰乱正常运行的电子系统，造成设备误动作或失效。静电对电子器件的损伤可以发生在器件生产到产品应用的任何环节，这主要是由于整个过程中没有采取切实有效的ＥＳＤ防护措施。 ＥＳＤ损伤通常可以分为致命失效和潜在失效２种：（１）致命失效是指当器件发生ＥｓＤ后，元器件完全失去功能。其表现形式有金属熔化、节点击穿或氧化物失效，这些现象会导致器件内部电路永久损伤，进而造成器件失效。这些失效器件大部分可以在出厂前通过测试检出，但在出厂后发生就会造成后续器件操作的失效。 １１６ 万方数据 （２）潜在失效是指检测这种失效很困难，元件只是被ＥＳＤ部分损伤，器件的功能虽然没有丧失，但是器件的寿命、耐受性显著减低。若这种器件被应用到系统中，很可能会发生失效，且这种失效通常会带来昂贵的维修费用，甚至在某些情况下造成操作人员的人身伤害。对于器件的致命失效，可以通过相应的测试设备用基本功能测试的方法就可以检测出。但是，基于现行的检测技术和手段，潜在失效很难被检测到，特别是那些带有潜在损伤的元件被组装到产品成品中后，就更难被检测出来。 １．２ ＩＧＢＴ的结构特点 相对于ＭＯＳＦＥＴ，ＩＧＢＴ在结构上增加了一层Ｐ＋层，称为 漏注入层，这样整个单胞构成了４个层结构，并存在３个ＰＮ 结。当Ｕ。＞ｏ，叱＞【，，时，门极下面的半导体表面形成反型 层，电子从Ｎ＋源区经沟道流入Ｎ漏区，使得缓冲层和漏注入层Ｐ＋之间的ＰＮ结更为正偏，于是Ｐ＋区往Ｎ一漏区注入空穴。这些空穴一部分是从沟道来的电子负荷，另一部分则由处于反偏的Ｐ发射极和ｎ基极之间的ＰＮ结收集到亚沟道Ｐ＋区，这些载流子将显著地调制Ｎ漏区的电导率，从而降低器件的导通电阻，提高电流密度。 １．３ ＩＧＢＴ失效模式和ＥＳＤ损伤 ＩＧＢＴ的失效模式包括：（１）电气应力损伤，即由于过电 压、过电流直接