通用MOS模拟集成电路基础.pptVIP

第一章 通用MOS模拟集成电路;一. MOS器件物理基础;主要内容;1.MOSFET的基本结构;MOSFET的结构;MOSFET的立体图;;基本 几何 参数 沟道宽度W：垂直于沟道长度方向的栅的尺寸。 栅氧厚度tox：栅极与衬底之间的二氧化硅的厚度。;mos管的种类 增强型: 在栅源电压VGS为0时没有导电沟道，而必须依靠栅源电压的作用，才能形成导电沟道的mos管； 耗尽型: 在栅源电压VGS为0时mos管也存在导电沟道。 mos管的符号：;;;例：判断制造下列电路的衬底类型;1.MOSFET的基本结构(小结);2.MOS的工作原理;;;mos管的工作原理 反形层的形成 当界面电势足够高时， 会将电子吸引到栅氧下， 形成一个n型薄层 —反型层，从而形成了 源极和漏极间的导电沟道，mos管导通。在正的漏极电压作用下，产生漏极电流ID。;mos管的电特性 阈值电压Vth：通常认为在形成导电沟道时所对应的栅源电压为Vth；而半导???物理学中， Vth定义为界面的电子浓度等于p型衬底的多子浓度时的栅压。 ;注： 器件的阈值电压主要通过改变衬底掺杂浓度、衬底表面浓度或改变氧化层中的电荷密度来调整，对于增强型nmos管，适当增加衬底浓度，减小氧化层中的正电荷即可使其阈值大于0；而氧化层中的正电荷较大或衬底浓度太小都可形成耗尽型nmos 。 实际上，用以上方程求出的“本征”阈值，在电路设计过程中可能不适用，在实际设计过程中，常通过改变多晶与硅之间的接触电势即：在沟道中注入杂质，或通过对多晶硅掺杂金属的方法来调整阈值电压。比如：若在p型衬底中掺杂三价离子形成一层薄的p＋区，为了实现耗尽，其栅电压必须提高，从而提高了阈值电压。;NMOS器件的阈值电压VTH;NMOS管VGSVT、VDS=0时的示意图;NMOS管VGSVT、 0VDS VGS-VT示意图;饱和区的MOSFET（VDS ≥ VGS－VT）;NMOS沟道电势示意图(0VDS VGS-VT );2.MOS的阈值电压;自对准硅栅工艺;多晶硅栅NMOS工艺流程 ;（3）涂光刻胶 涂胶，甩胶，（几千转/分钟）， 烘干（100℃）?固胶。 ;（5）刻有源区。 掩模版掩蔽区域下未被曝光的光刻胶被显影液洗掉；再将下面的SiO2用HF刻蚀掉，露出硅片表面。 ;（7）刻多晶硅，自对准扩散 用多晶硅版刻出多晶硅图形，再用有源区版刻掉有源区上的氧化层，高温下以n型杂质对有源区进行扩散（1000℃左右）。此时耐高温的多晶硅和下面的氧化层起掩蔽作用 ——自对准工艺 ;（9）反刻Al 除去其余的光刻胶，在整个硅片上蒸发或淀积一层Al（约1?m厚），用反刻Al的掩模版反刻、腐蚀出需要的Al连接图形。 ;3. I/V特性;Qd：沟道电荷密度;I/V特性的推导（2）;三极管区的MOSFET（0 VDS VGS－VT）;I/V特性的推导（3）;饱和区的MOSFET（VDS ≥ VGS－VT）;mos管的I/V特性： 忽略二阶效应，mos管的I/V特性的经典描述 　　 VGS－Vth：mos管的“过驱动电压” L：沟道的有效长度 W/L称为宽长比 　　　　　　　　　　　，称为nmos管的导电因子 ID的值取决于工艺参数：μnCox、器件尺寸W和L、VDS及VGS。 ;NMOS管的电流公式;mos管的I/V特性 截止区：VGS≤Vth，ID＝0； 线性区：VDS≤VGS－Vth，漏极电流即为 深三极管区：VDS2（VGS－Vth）时 称mos管工作在深三极管区， ID可近似为： ;mos管的I/V特性 深三极管区： VDS较小时，ID是VDS的线性函数， 此时mos管可等效为一个电阻，其阻值为： 　 处于深三极管区的mos管可等效为压控电阻， 当VGS一定时，沟道直流导通电阻近似为一恒 定的电阻。;饱和区：VDS≥VGS－Vth时 在VDS＞VGS－Vth时，沟道 发生夹断现象， mos管进入饱和区。 此时方程两边对VDS求导，可求出电流 最大值，其值为： 　　 即饱和电流方程。 处于饱和区的mos管可等效为 连接漏源的压控电流源;;饱和区mos管的跨导 饱和区的mos管等效为压控电流源，故可用跨导gm来表示mos管的电压转变电流的能力，跨导为漏源电压一定时，漏极电流随栅源电压的变化率，即： ;提高跨导的方法：可以通过增大KN（增大宽长比，增大Cox等） 也可以通过增大ID来实现，但以增大宽长比为最有效。 ;例：MOS管饱和的判断条件;例：MOS模拟开关;4.