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第 40 卷第 5 期 微 电 子 学 Vo l. 40, N o. 5 2010 年 10 月 Microelectronics Oct. 2010 一种采用斩波技术的 CM OS 带隙基准电压源 辛晓宁, 张 磊 ( 沈阳工业大学 信息科学与工程学院, 沈阳 110870) 摘 要: 设计了一种较高 PSRR 和较低温度系数的带隙基准电压源。运用斩波调制技术和动态 元件匹配技术, 有效减小了运放失调电压引起的温度漂移。基于 CSM C 0. 5 m CMOS 工艺, 使用 H spice 工具对电路进行仿真。斩波频率为 1. 5 M H z 时, 基准输出电压约为 1. 235 V。在室温 25 时, 该带隙基准电源电压范围为 3. 3 V 到 5. 5 V。电源电压为 3. 3 V 时, 在40 ~ 85 温度范 围内, 温度系数为 5. 19 106 , 测得 PSRR 大于 70 dB @ 1 kH z。 关键词: 斩波调制; 带隙基准电压源; 失调电压; 温度漂移 中图分类号: T N432 文献标识码: A 文章编号: 10043365( 2010) 05072304 A CM OS Bandg ap Voltage Reference Source Based on Chopper T echnology XIN Xiao ning, ZH ANG Lei ( S chool of I nf ormation Science Eng ineering , Shenyang Univer sity of T echnology , S henyang 110870, P . R. China) Abstract: A bandg ap v oltage reference source w ith high P SR R and lo w t em perat ure coefficient w as designed. In this circuit, temperature drift caused by offset o f the amplifier was reduced by using chopper mo dulation and dynam ic element matching. Based on CSM Cs 0. 5 m CM O S pro cess, the bandg ap voltag e reference was simulated w ith Hspice. R esult s from simulation show ed that, for a cho pping frequency of 1. 5 M H z, the circuit had an o utput refer ence v oltage of abo ut 1. 235 V . A t roo m temperature ( 25 ) , it s su