第三章半导体光电检测器件及应用5.pptVIP

*;工作原理：是基于光辐射与物质相互作用的热效应而制成的器件。 热效应：器件吸收入射辐射产生温升引起材料物理性质的变化，输出电信号。 热电传感器件：是将入射到器件上的辐射能转换成热能，然后将热能转换成电能的器件。 ;热探测器件又称为无选择性探测器（对全波长有相同的响应率） 特点：工作时不需要制冷，光谱响应无波长选择性等。 分类：热敏电阻、热电偶检测器、热释电器件 ;*;*;热探测器与前面讲述的各种光电器件相比具有下列特性： 响应率与波长无关，属于无选择性探测器； 受热时间常数（热惯性）的制约，响应速度比较慢； 热探测器的探测率比光子探测器的峰值探测率低； 可在室温下工作。;;*;*;1. 温度系数aT 表示温度变化1℃时，热电阻实际阻值的相对变化：;*;（1）金属材料-正温度系数热敏电阻(PTR) ;*;图示分别为半导体和金属（白金）的温度特性曲线。 白金的电阻温度系数为正值，大约为0.37%左右； 半导体材料热敏电阻的温度系数为负值，大约为-3%～-6%，约为白金的10倍以上。 所以热敏电阻探测器常用半导体材料制作而很少采用贵重的金属;*;*;*;*;热敏电阻使用说明 自身的发热进行补偿 温度特性的非线性：根据器件手册，建立温度-阻值之间的查找表，利用查表的方式进行对应的温度计算 稳定性和老化 ：正温度系数热敏电阻器和临界温度热敏电阻器特性的均匀性要差于负温度系数热敏电阻器 ;*;热电偶的结构示意图;热电势由两部分组成：接触电势-温差电势;温差电势;温差电势;*;第三导体的引入;热电偶冷端温度误差及其补偿;恒温法;冷端补偿器法;热电偶具有以下特性: （1）若热电偶两电极材料相同， 则无论两结点温度如何，总热电势为零； （2）若热电偶两结点温度相同， 则尽管A、B 材料不同，回路中的总电势等于零； （3）热电偶产生的热电势只与材料和结点温度有关 与电极的尺寸、形状等无关， 电极材料相同的热电偶可以互换； （4）热电偶A、B 的结点温度为T1、T3 时的热电势 等于此热电偶在结点温度为T1、T2与T2、T3 两个不同状态下的热电势之和; （5）当热电极A、B 选定后，热电势EAB(T, T0) 是两结点温度T 和T0 的函数差;热电偶的应用;热电偶的应用;*;热电偶检测器;热释电探测器; 热释电探测器原理 ;热释电效应; 当红外辐射照射到已经极化的热释电晶体时，引起温度升高，表面电荷减少，相当于热“释放”了部分电荷。释放的电荷变成电信号输出。如果辐射持续作用，表面电荷将达到新的平衡，不再释放电荷，也不再有电信号输出。因此，热释电器件不同于其他光电器件，在恒定辐射作用的情况下输出的电信号为零；只有在交变辐射的作用下才会有信号输出。 ;热释电晶体的自发极化强度PS（单位面积上的电荷量）与温度的关系，利用这一关系制造的热敏探测器称为热释电器件 ;面电极结构：电极置于热释电晶体的前后表面上, 其中一个电极位于光敏面内。 这种电极结构的电极面积较大，极间距离较少，因而极间电容较大，故其不适于高速应用。此外，由于辐射要通过电极层才能到达晶体，所以电极对于待测的辐射波段必须透明。;硫酸三甘肽（TGS）晶体热释电器件 热释电系数较大，介电常数较小，探测率D*值较高，在较宽的频率范围内，灵敏度较高可在室温下工作，具有光谱响应宽、灵敏度高，是一种性能优良的红外探测器，广泛应用红外光谱领域 ;掺丙乙酸的TGS（LATGS） 锁定极化特点，即温度由居里温度以上降到室温，仍无退极化现象。掺杂后TGS晶体的介电损耗减小，介电常数下降，前者降低了噪声，后者改进了高频特性。 ;铌酸锶钡 (SBN)热释电器件 钡含量的提高而使居里温度相应提高，在大气条件下性能稳定，无需窗口材料，电阻率高，热释电系数大，机械强度高，在红外波段吸收率高，可不必涂黑，可用于快速光辐射的探测。 在钡含量x0.4时，如不加偏压，在室温下就趋于退极化；而当x0.6时，晶体在生长过程会开裂 ;钽酸锂（LiTaO3） 在室温下它的响应约为TGS的一半，但在低于零度或高于45℃时都比TGS好。居里温度高，室温下的响应率几乎不随温度变化，可在很高的环境温度下工作，且能够承受较高的辐射能量，不退极化，它的物理化学性质稳定，不需要保护窗口；机械强度高，响应快，适于探测高速光脉冲。;压电陶瓷热释电器件 压电陶瓷器件的特点是热释电系数较大，介电常数也较大，二者的比值并不高。其机械强度高、物理化学性能稳定、电阻率可以控制，能承受的辐射功率超过LiTaO3热释电器件，居里温度高，不易退极化，这种热释电器件容易制造，成本低廉 ;聚合物热释电器件 有机聚合物???释电材