[2017年整理]《微电子学概论》--Chap04.pptVIP

第 四 章 集成电路制造工艺 集成电路设计与制造的主要流程框架 直拉单晶硅 集成电路芯片的显微照片 4.1 集成电路制造工艺 图形转换：将设计在掩膜版(类似于照相底片)上的图形转移到半导体单晶片上 掺杂：根据设计的需要，将各种杂质掺杂在需要的位置上，形成晶体管、接触等 制膜：制作各种材料的薄膜 一、图形转换：光刻 光刻三要素：光刻胶、掩膜版和光刻机 光刻胶又叫光致抗蚀剂，它是由光敏化合物、基体树脂和有机溶剂等混合而成的胶状液体。光刻胶是对光、电子束或者x线等敏感，具有在显影液中溶解性变化的性质，同时具有耐腐蚀性的材料。光刻胶有正型和负型两种。正型光刻胶受紫外线照射，其感光的部分发生光分解反应溶于显影液，末感光的部分显影后仍然留在基片的表面。与此相反，负型光刻胶的未感光的部分溶于显影液中，而感光部分显影后仍留在基片表面。 光刻胶受到特定波长光线的作用后，导致其化学结构发生变化，使光刻胶在某种特定溶液中的溶解特性改变 正胶：分辨率高，在超大规模集成电路工艺中，一般只采用正胶 负胶：分辨率差，适于加工线宽≥3?m的线条 光刻需要的掩模 二、几种常见的光刻方法 接触式光刻：分辨率较高，但是容易造成掩膜版和光刻胶膜的损伤。 接近式曝光：在硅片和掩膜版之间有一个很小的间隙(10～25?m)，可以大大减小掩膜版的损伤，分辨率较低 投影式曝光：利用透镜或反射镜将掩膜版上的图形投影到衬底上的