7-类单晶硅太阳电池表面的两步法制绒.docVIP

——————————————————————————————————————————————— 7-类单晶硅太阳电池表面的两步法制绒 第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会论文（晶体硅材料及电池） 类单晶硅类单晶硅太阳电池表面的两步法太阳电池表面的两步法制绒两步法制绒 谢俊叶1 马承宏1 李云2 徐志虎2 （1. 内蒙古日月太阳能科技有限责任公司，2.内蒙古大学科学技术学院， 呼和浩特 010021） 摘要：摘要：本文采用两步法对类单晶硅太阳电池的表面进行制绒，利用扫描电子显微镜和分光 光度计测试绒面的表面形貌和反射率。测试结果显示：常温下，经两步法腐蚀制绒后的硅片表面形貌是金字塔与凹坑相结合，在波长650nm处，其表面反射率介于单、多晶硅片的反射率（10%—22%）间，但从电池制作的整体工艺和成本考虑，先酸后碱的制绒方案优于其它方案。 关键词：关键词：类单晶硅 ；两步腐蚀制绒； 反射率 1 引言 提高太阳电池效率和降低成本一直是光伏技术领域追求的终极目标。随着科技的发展，晶体硅片的厚度不断减薄成为降低成本的一个重要途径。由于硅属于间接带隙，厚度的减薄意味着对光的吸收减少，因此采取表面绒面化措施来最大限度地降低硅片表面的反射率、提高陷光能力、增加光吸收，以此提高多晶硅太阳电池的转换效率。单晶、类单晶和多晶硅的最大区别是存在晶界的问题，硅片的晶界越多则电池的转换效率相对越低，所以三者制成的太阳电池效率一般呈递减规律。工业化生产中，因单晶硅存在各向异性，所以电池绒面常采用碱性腐蚀 [1] 呈单晶结构，另20%的区域是由多晶构成，故对此结构的硅片无论采用单一的酸或碱类腐蚀液进行制绒，都会造成硅片表面出现亮、暗不同的区域，使得后续PECVD镀膜工序会出现严重的色差。为了使类单晶硅同时具有良好的表面形貌和相应反射率，降低表面色差，本工作选择了几种方案对类单晶硅的绒面制备进行研究。 2 实验 2.1实验方案 方案一：碱性腐蚀法，采用常规的氢氧化钠腐蚀制绒方法。 方案二：先酸后碱两步腐蚀法，类单晶硅片清洗后在室温下进行酸腐蚀，再进行碱腐蚀。 方案三：先碱后酸两步腐蚀法。清洗后 1 ，而多晶硅因不显各向异性，所以常采用 酸性腐蚀的方法制备绒面[2-3]。类单晶硅片的结构介于二者之间，其表面80%的面积常 的类单晶硅片，室温下先进行碱腐蚀，再进行酸腐蚀。 表面制绒后，电池制作与常规工艺相同。 2.2实验材料和测试仪器实验材料和测试仪器 采用掺硼P型类单晶硅片（内蒙古包头市山晟新能源有限责任公司生产），裸片电阻率1.8—2.0?·cm，面积156×156mm2，厚度180 ±20μm。 实验用化学药品：氢氟酸（HF，48%）（硝酸HNO3 ，68%），氢氧化钠( NaOH ，98%)。 测试仪器：S-4800扫描电子显微镜（日立），PerkinElmer分光光度计（美国）。 图1类单晶硅绒面SEM图（碱腐蚀） 3 结果与讨论 3.1 类单晶硅第一方案制绒的类单晶硅第一方案制绒的表面形貌第一方案制绒的表面形貌及表面形貌及反射率 图1给出类单晶硅片在85℃的碱腐蚀30—40min绒面的SEM图；图2是经碱腐蚀的类单晶硅片在波长为400nm—1000nm范围内绒面的反射率图，其中曲线a是类单晶硅片占80%区域的大晶粒部分的反射率，曲线b是四角小晶粒占20%区域的反射率。 图2类单晶硅片表面反射率图（碱腐蚀） 由图1可知：类单晶硅片经85℃的氢氧化钠溶液腐蚀后，在其表面形成了“金字塔”状的绒面。这说明碱腐蚀液对类单晶硅的不同晶面具有不同的腐蚀速率，即“各向异性”[4] 的腐蚀速度在硅片表面形成了随机分布的金字塔，而“金字塔”的大小和均匀程度受到腐蚀液的浓度、温度和腐蚀时间的影响。由于类单晶硅片上20%区域的多晶结构具有“各向同性”的性质，所以在相同的腐蚀条件下，因结构的差异绒面明显呈反射不同的区域，会直接影响PECVD镀减反 2 射膜的质量.。 图2给出同一类单晶硅片经碱制绒后，不同区域的反射率曲线（a曲线为大晶粒部分，b曲线为四角小晶粒部分）.这两条反射率曲线的整体趋势都是随波长的增加而逐渐下降，并且在波长650nm处，a曲线的反射率为10.8%；b曲线的反射率为22%，说 明绒面增加了光在硅片表面的反射吸收次数，从而降低了表面反射率。在波长680nm处，反射率发生突变升高现象，原因是反射率测试仪在该波段处切换光源造成的。 3.2 类单晶硅第二方案制绒的表面形貌类单晶硅第