气相沉积技术探讨.pptVIP

材料表面强化技术; 气相沉积是利用气相中发生的物理、化学过程，改变工件表面成分，在表面形成具有特殊性能的金属或化合物涂层。;气相沉积的特点;真空技术基础; 真空的获取 气体传输泵：旋片式机械真空泵、油扩散泵、分子泵；——前级泵 气体捕获泵：分子筛吸附泵、钛升华泵、溅射离子泵和低温泵。——次级泵。;几种常用真空泵的真空使用范围;物理气相沉积;真空蒸镀; 蒸发源 蒸发源是蒸镀材料蒸发汽化的热源。目前使用的蒸发源主要有以下几类： 电阻加热蒸发源 用丝状或片状的高熔点金属（钨、钼、钽）做成适当形状的蒸发源，将膜料放在其中，接通电阻加热膜料而使其蒸发。 特点：结构简单、操作方便、造价低廉 电子束加热蒸发源 e型电子枪电子枪发出的电子束直接照射镀料表面，将高速电子的动能转化为加热材料的热能，使镀料熔化蒸发，而进行蒸镀。 特点：能量可高度集中，使膜料的局部表面获得很高的温度，能准确而方便的控制蒸发温度。适用于制备高纯度的膜层。 激光束蒸发源 通过聚焦可使激光束密度达到106W/cm2以上，它以无接触加热方式使膜料迅速气化，然后沉积在基片上形成薄膜。 特点：实现化合物沉积，不会产生分流现象，能蒸发高熔点材料。; 溅射; 溅射机理 溅射完全是动能的交换过程。入射离子最初撞击靶体表面上的原子时，产生弹性碰撞，它的动能传递给靶表面的原子，该表面原子获得的动能再向靶内部原子传递，经过一系列的碰撞过程即级联碰撞，其中某一个原子获得指向靶表面外的动量，并且具有了克服表面势垒（结合能）的能量，它就可以溢出靶面而成为溅射原子。; 溅射产额 溅射产额是指每一个入射离子所击出的靶材的原子数，又称溅射率或溅射系数。用S表示。 溅射产额S的大小与轰击粒子的类型、能量、入射角有关，也与靶材原子的种类、结构有关，与溅射时靶材表面发生的分解、扩散、化合等状况有关，与溅射气体的压强有关。;合金和化合物的溅射 合金靶材：为了得到与靶材成分基本相同的膜层，应当加强靶的冷却，使靶处在冷态下溅射，这样就降低了靶内组分的扩散效应。开始溅射时，高溅射率的组分优先溅出，表面该组分贫化，若降低扩散迁移，深层元素不向表面补充，表面低溅射率元素浓度相对增高下多溅出，就可使沉积膜接近靶材成分。 化合物靶材：大多数化合物的离解能在10～100eV范围内，而溅射工况下入射离子能量都超过这一范围，所以，化合物靶材在溅射时化合物会发生离解。膜成分和靶组分的化学配比将发生偏差，化合物的离解产物中常常是气体原子，有可能被抽气系统抽掉，所以要补偿膜组分中化学配比的偏差，需要引入适量的“反应气体”，通过反应溅射的方式来纠正化学配比的偏差。例如，氧化物、氮化物或硫化物的溅射中，需要添加一定比例的O2，N2，H2S等参加到溅射气体中进行反应溅射，以保证化学配比。;溅射镀膜方法;2、射频溅射; ① 传统溅射方法缺点：;③ 磁控溅射原理：; 化合物薄膜占全部薄膜的70%，在薄膜制备中占重要地位。大多数化合物薄膜可以用 化学气相沉积(CVD)法制备，但是PVD也是制备化合物薄膜的一种好方法。; 离子镀;⑴ 荷能离子对基体表面的轰击效应： 溅射清洗 产生缺陷 结晶系破坏 改变表面形貌 气体渗入 温度升高 和表面成分变化;⑵ 荷能离子对基体和镀层界面的轰击效应： 物理混合 增强扩散 改善成核 减少松散结合原子 改善表面覆盖度 增加绕镀性;⑶ 荷能离子在薄膜生长中的效应： 有利于化合物形成 清除柱状晶、提高致密度， 对膜层内应力的影响， 改变膜的组织结构， 强化基体表面等；; 真空室抽至10-3～10-4Pa，随后通入惰性气体（Ar），真空度达1～10-1Pa，接通高压电源，在蒸发源（阳极）和基片（阴极）之间建立起一个低压气体放电的低温等离子区。基片成为辉光放电的阴极，其附近成为阴极暗区。在负辉区附近产生的惰性气体离子进入进入阴极暗区被电场加速并轰击基片表面，可有效地清除基片表面的气体和污物。随后，让镀料汽化，蒸发的粒子进入等离子区，并与等离子区中的正离子和被激发的惰性气体原子以及电子发生碰撞，其中一部分蒸发粒子被电离成正离子，而大部分原子达不到离化的能量，处于激发状态。被电离的镀料离子和惰性气体离子一起受到负高压电场加速，以较高的能量轰击基片和镀层的表面，并沉积成膜。这种荷能粒子的轰击贯穿镀膜成核和生长的全过程。离子镀成膜过程中所需的能量靠荷能离子供给，而离子的能量是在电离碰撞以及离子被电场加速获得的，而不是靠加热方式获得的。 ;离子镀技术必须具备三个条件：一是有一个气体放电空间，工作气体部分地电离产生等离子体；二是要将镀料原子或反应气体引进放电空间，在其中进行电荷交换和能量交换，使之部分离化，产生镀料物