模电“电子技术基础”康华光-ch5_FET_Circuits.pptVIP

场效应管(FET——Field Effect Transister) 2．沟道变形 另：N沟道耗尽型MOSFET 5.1.3 主要参数 (1) 直流参数 ① VT——开启电压 增强型 ① gm ——低频跨导transconductance 反映VGS对ID的控制作用(VCCS) gm=?ID/?VGS?VDS=const (mS) (毫西门子) 2．VDS控制沟道形状 5.2.3 主要参数 ② RGS——输入电阻 RGS约大于107Ω 现行两种命名方法： 一、与三极管相同 第三位字母J代表JFET，O代表IGFET； 第二位字母代表材料： D是P型硅N沟道；C是N型硅P沟道 例如, 3DJ6D是结型N沟道场效应三极管， 3DO6C是绝缘栅型N沟道场效应三极管。 几种常用的场效应三极管的主要参数见表02.02。 5.1.5 双极型和场效应型三极管的比较 双极型三极管 场效应管(单极型三极管) 结构 NPN型 结型耗尽型 N沟道 P沟道 PNP型 绝缘栅增强型 N沟道 P沟道 绝缘栅耗尽型 N沟道 P沟道 C与E一般不可倒置使用 D与S有的型号可倒置使用 载流子 多子扩散少子漂移 多子漂移 输入量 电流输入 电压输入 控制 电流控制电流源CCCS(β) 电压控制电流源VCCS(gm) 双极型三极管 场效应三极管 噪声 较大 较小 温度特性 受温度影响较大 较小，可有零温度系数点 输入电阻 几十到几千欧姆 几兆欧姆以上 静电影响 不受静电影响 易受静电影响 集成工艺 不易大规模集成 适宜大规模和超大规模集成 5.5 小结与基本要求 *器件：场效应管(FET) 是单极型晶体管 电路：掌握共源、共漏组态放大电路的静、动态分析 动态分析——用小信号等效电路法分析 5.4.2 共漏放大电路 分压式直流偏置电路 Voltage Divider Biasing 共漏 共集 (1)静态分析 VG=VDDRg2/(Rg1+Rg2) VGS= VG－VS= VG－IDR ID= IDSS[1－(VGS /VP)]2 VDS= VDD－IDR (2)交流分析 ①电压放大倍数 ②输入电阻 ③输出电阻 5.4.3 三种组态放大电路比较 动态性能比较表: CE / CB / CC CS / CG / CD Ri CS：Rg1 // Rg2 CD：Rg+ (Rg1 // Rg2 ) CG：R//(1/gm) Ro CS：Rd CD：R//(1/gm) CG：Rd 一、分类： 1.从参与导电的载流子划分 2. 从结构划分 N沟道 JFET P沟道 IGFET （MOSFET） VCCS（输出特性曲线三区） 二、特性 三、参数： gm、VT（VP） 小结： *电路：三组态、两种直流偏置电路（自偏压、分压） 器件与电路： Ri Ro 基本要求： 器件与电路： 器件：掌握特性与参数 跳转到目录页 跳转到第一页 5.1 IGFET 5.2 JFET 5.3 型号 5.4