- 1、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。。
- 2、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载。
- 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
【2017年整理】中国石油大学大物物理历年期末试题1new
大学物理期末试卷(1);3、A、B 为导体大平板,面积均为S ,平行放置,A 板带电荷
+Q1,B 板带电荷+Q2,如果使B 板接地,则AB间电场强度的
大小E 为;;5、自感为0. 25H的线圈中,当电流在(1/16)S内由2A均匀减小
到零时,线圈中自感电动势的大小为:;8、在康普顿效应实验中,若散射光波长是入射光波长的1.2倍,
则散射光光子能量ε与反冲电子动能Ek之比ε/ Ek为;二、填空题;5、均匀磁场的磁感应强度 垂直与半径为r 的圆面,今以该
圆周为边线。作一半球面S,则通过S面的磁通量的大小为;7、反映电磁场基本性质和规律的积分形式的麦克斯韦方程组为;8、根据玻尔氢原子理论,若大量氢原子处于主量子数n = 5的
激发态,则跃迁辐射的谱线可以有 条,其中属于巴耳
末系的谱线有 条。 ;三、计算题;Evaluation only.
Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0.
Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd.;2、当电子的德布罗意波长与可见光波长( λ = 5500? )相同时,
求它的动能是多少电子伏特?
(电子质量me = 9.11 × 10-31 kg,普朗克常量h = 6.63×10-34J.s
1eV=1.6 ×10-19J );四、证明题:;大学物理期末试卷(2);3、两根载流直导线相互正交放置,I1 沿Y 轴的正方向流动,I2
沿Z 轴负方向流动。若载流I1 的导线不能动,载流I2 的导线
可以自由运动,则载流I2 的导线开始运动的趋势是:;5、如图,平行板电容器(忽略边缘效应)充电时,沿环路L1,L2 磁场强度的环流中,必有:;6、某金属产生光电效应的红限波长为λ0,今以波长为λ
( λ λ0)的单色光照射该金属,金属释放出的电子
(质量为me)的动 量大小为:;9、硫化镉(CdS)晶体的禁带宽度为2.42 e V,要使这种晶体
产生本征光电导,则入射到晶体上的光的波长不能大于:
(普朗克常数h = 6.63×10 - 34J.s,基本电荷e =1.6 × 10 - 19C);2、两点电荷在真空中相距为 r1 时的相互作用力等于它们在某一
“无限大”各向同性均匀电介质中相距为 r2 时的相互作用力,
则该电介质的相对电容率 εr = 。 ;6、电子的自旋磁量子数mS只能取 和 两个值。;解:先计算细绳上的电荷对中心产生的场强。
选细绳的顶端为坐标原点O。X 轴向下为正。;2、电荷面密度分别为+ σ 和- σ 的两块‘无限大’均匀带电平行平
面,分别与X轴垂直交于x1 = a , x2 = - a 两点。设坐标原点O
处电势为零,试求空间的电势分布表示式并画出其曲线。;3、两个共面的平面带电圆环,其内外半径分别为R1、R2和R2、
R3,外面的圆环以每秒 n2 转的转速顺时针转动,里面的圆
环以每秒 n1 转的转速逆时针转动。若电荷面密度都是σ ,求
n1 和n2 的比值多大时,圆心处的磁感应强度为零。;解:过圆心作辅助线至无限远处与长直导线闭合。;一、选择题(共30分,每题3分);2、一封闭的导体球壳A内有两个导体B和C。 A、C所带净电量为零,B点正电,则A、B、C三导体的电势UA、UB、UC的大小关系是:;A;6、如图,平行板电容器(忽略边缘效应)充电时,沿环路L1,L2 磁场强度的环流中,必有:;8、电子显微镜中的电子从静止开始通过电势差为U的静电场加速后,其德布罗意波长为0.4埃,则U约为:
(A)150V (B)330V (C)630V (D)940V;10、下述说法中,正确的是:
A) 本征半导体是电子与空穴两种载流子同时参与导电,而杂质半导体只有一种载流子参与导电,所以本征半导体导电性能比杂质半导体好。
B) n 型半导体的性能优于p型半导体,因n型半导体是负电子导电,p型半导体是正离子导电。
C) n 型半导体中杂质原子所形成的局部能级靠近空带(导带)的底部,使局部能级中多余的电子容易被激发跃迁到空带中去,大大提高了半导体导电性能。
D) p型半导体的导电机构完全决定于满带中空穴的运动。;垂直纸面向里;4、一半径为R圆
文档评论(0)