PSR电源设计资料剖析.doc

目前比较流行的低成本、超小占用空间方案设计基本都是采用PSR原边反馈反激式， 通过原边反馈稳压省掉电压反馈环路（TL431和光耦）和较低的EMC辐射省掉Y电容， 不仅省成本而且省空间，得到很多电源工程师采用。 比较是新技术，目前针对PSR原边反馈开关电源方案设计的相关讯息在行业中欠缺。 下面结合实际来讲讲我对PSR原边反馈开关电源设计的“独特”方法——以实际为基础。 要求条件： 全电压输入，输出5V/1A，符合能源之星2之标准，符合IEC60950和EN55022安规及EMC标准。 因充电器为了方便携带，一般都要求小体积，所以针对5W的开关电源充电器一般都采用体积较小的EFD-15和EPC13的变压器，此类变压器按常规计算方式可能会认为CORE太小，做不到，如果现在还有人这样认为，那你就OUT了。 磁芯以确定，下面就分别讲讲采用EFD15和EPC13的变压器设计5V/1A 5W的电源变压器。 1. EFD15变压器设计 目前针对小变压器磁芯，特别是小公司基本都无从得知CORE的B/H曲线，因PSR线路对变压器漏感有所要求。 所以从对变压器作最小漏感设计入手： 已知输出电流为1A，5W功率较小，所以铜线的电流密度选8A/mm2, 次级铜线直径为:SQRT(1/8/3.14)*2=0.4mmr2=I/J---r2=I/(Jπ)—r=sqrt(1/(8*3.14))=0.1995 通过测量或查询BOBBIN资料可以得知，EFD15的BOBBIN的幅宽为9.2mm。 因次级采用三重绝缘线，0.4mm的三重绝缘线实际直径为0.6mm. 为了减小漏感把次级线圈设计为1整层，次级杂数为：9.2/0.6mm=15.3Ts,取15Ts. 因IC内部一般内置VDS耐压600~650V的MOS，考虑到漏感尖峰，需留50~100V的应力电压余量，所以反射电压需控制在100V以内， 得：(Vout+VF)*n100,即：n100/（5+1）,n16.6, 取n=16.5,得初级匝数NP=15*16.5=247.5 取NP=248，代入上式验证，（Vout+VF）*(NP/NS)100, 即(5+1)*(248/15)=99.2100,成立。 确定NP=248Ts. 假设:初级248Ts在BOBBIN上采用分3层来绕，因多层绕线考虑到出线间隙和次层以上不均匀，需至少留1Ts余量（间隙）。 得：初级铜线可用外径为：9.2/(248/3+1)=0.109mm，对应的实际铜线直径为0.089mm，太小（小于0.1mm不易绕制），不可取。 假设:初级248Ts在BOBBIN上采用分4层来绕， 初级铜线可用外径为：9.2/(248/4+1)=0.146mm，对应的铜线直径为0.126mm，实际可用铜线直径取0.12mm。 IC的VCC电压下限一般为10~12V，考虑到至少留3V余量，取VCC电压为15V左右， 得：NV=Vnv/(Vout+VF)*NS=15/(5+1)*15=37.5Ts,取38Ts. 因PSR采用NV线圈稳压，所以NV的漏感也需控制，仍然按整层设计， 得：NV线径=9.2/(38+1)=0.235mm,对应的铜线直径为0.215mm，实际可用铜线直径取0.2mm。也可采用0.1mm双线并饶。 先上图： 此线路是采用目前兼容很多国内品牌IC的回路，如：OB2535、CR6235…… PSR线路设计需特别注意以下几处： 1. RCD吸收回路，即：R2,C4,D2,R6 2. Vcc供电和电压检测回路,即：D3,R3,R4,R10,C2 3.输出回路,即：C3,C7,D5,R11,LED1 下面分别说明以上几点需注意的地方 1. RCD吸收回路，即：R2,C4,D2,R6 大家可以看出，此RCD回路比普通的PWM回路的RCD多了一个R6电阻， 或许有人会忽略他的作用，但实际它对产品的稳定性起着很大的作用。 看下图VDS的波形： 当开关管截止后因漏感引起的振玲会随漏感的增大而使电压跌得更低， 更低的电压回复需要更长的时间， VDS的波形此时和VCC的波形是同步的， PSR检测电压是通过IC内部延时4~6uS避开这个振玲来检测后面相对平滑的电压， 电压恢复时间过长导致IC检测开始时检测到的是振玲处的电压， 最总导致的结果是输出电压不稳定，甚至荡机。 当然也有因变压器漏感比较小，无此电阻也可以正常工作，但一致性较难控制。 此电阻的取值与RCD回路和EMC噪音有关， 一般建议取值为150~510R,推荐使用220~330R，D2建议使用恢复时间较慢的1N4007 具体可根据漏感结合RCD来调试。 2. Vcc供电和电压检测回路,即：D3,R3,R4,R10,C2 R4与R10的取值是根据IC的VFB来计算的。 但阻值取值对一般USB直接输出