.第3章半导体光电检测器件及应用3.pptVIP

受激辐射和自发辐射区别在于是否有外来光子的参与，且产生的光的特点很不相同。 受激辐射光的频率、相位、偏振态和传播方向与入射光相同，这种光称为相干光。 自发辐射光是由大量不同激发态的电子自发跃迁产生的，其频率和方向分布在一定范围内，相位和偏振态是混乱的，这种光称为非相干光。 受激辐射和受激吸收的区别与联系 受激辐射是受激吸收的逆过程。电子在E1和E2两个能级之间跃迁，吸收的光子能量或辐射的光子能量都要满足波尔条件，即 E2-E1=hυ 式中，h=6.628×10-34J·s，为普朗克常数， υ为吸收或辐射的光子频率。 产生受激辐射和产生受激吸收的物质是不同的。 设在单位物质中，处于低能级E1和处于高能级E2(E2E1)的原子数分别为N1和N2。 当系统处于热平衡状态时，存在下面的分布 式中， k=1.381×10-23J/K，为波尔兹曼常数，T为热力学温度。由于(E2-E1)0，T0，所以在这种状态下，总是N1N2。 这是因为电子总是首先占据低能量的轨道。 受激吸收和受激辐射的速率分别比例于N1和N2，且比例系数(吸收和辐射的概率)相等。 如果N1N2，即受激吸收大于受激辐射。当光通过这种物质时，光强按指数衰减， 这种物质称为吸收物质。 如果N2N1，即受激辐射大于受激吸收，当光通过这种物质时，会产生放大作用，这种物质称为激活物质。 N2N1的分布，和正常状态(N1N2)的分布相反，所以称为粒子(电子)数反转分布。 问题：如何得到粒子数反转分布的状态呢? 导带 价带 导带 价带 正常分布 反转分布 产生激光的必要条件二：粒子数反转分布 产生粒子数反转的方法 注入载流子－半导体激光器 强光对激光物质进行照射－固体激光器 气体电离－气体激光器 图 3.2 半导体的能带和电子分布  (a) 本征半导体； (b) N型半导体； (c) P型半导体 PN结的能带和电子分布 在半导体中，由于邻近原子的作用，电子所处的能态扩展成能级连续分布的能带。能量低的能带称为价带，能量高的能带称为导带，导带底的能量Ec 和价带顶的能量Ev 之间的能量差Ec-Ev=Eg称为禁带宽度或带隙。电子不可能占据禁带。 在热平衡状态下，能量为E的能级被电子占据的概率为费米分布 式中，k为波兹曼常数，T为热力学温度。Ef 称为费米能级，用来描述半导体中各能级被电子占据的状态。 在费米能级，被电子占据和空穴占据的概率相同。  (3.3) 一般状态下，本征半导体的电子和空穴是成对出现的，用Ef 位于禁带中央来表示，见图3.2(a)。 在本征半导体中掺入施主杂质，称为N型半导体，见图3.2(b)。 在本征半导体中，掺入受主杂质，称为P型半导体，见图3.2(c)。 在P型和N型半导体组成的PN结界面上，由于存在多数载流子(电子或空穴)的梯度，因而产生扩散运动，形成内部电场， 见图3.3(a)。 内部电场产生与扩散相反方向的漂移运动，直到P区和N区的Ef 相同，两种运动处于平衡状态为止，结果能带发生倾斜，见图3.3(b)。 （a) P-N结内载流子运动； P 区 PN 结空 间电 荷区 N 区 内部电场 扩散 漂移 势垒 能量 E p c P 区 E n c E f E p v N 区 E n v (b) 零偏压时P-N结的能带倾斜图 图 3.3PN结的能带和电子分布 h f h f E f E p c E p f E p v E n c n E n v 电子， 空穴 内部电场 外加电场 正向偏压下P-N结能带图 获得粒子数反转分布 增益区（作用区）的产生： 在PN结上施加正向电压，产生与内部电场相反方向的外加电场，结果能带倾斜减小，扩散增强。电子运动方向与电场方向相反，便使N区的电子向P区运动，P区的空穴向N区运动，最后在PN结形成一个特殊的增益区。 增益区的导带主要是电子，价带主要是空穴，结果获得粒子数反转分布，见图3.3(c)。 在电子和空穴扩散过程中，导带的电子可以跃迁到价带和空穴复合，产生自发辐射光,这些光子将引起处于反转分布状态的非平衡载流子产生受激复合而发射受激辐射光子。 产生粒子数反转分布的条件： 3 激光振荡和光学谐振腔