场效应管剖析剖析.pptx

;5.1 绝缘栅场效应管(MOS管):;;一、结构和电路符号;N 沟道耗尽型;;P 沟道耗尽型;VGS控制沟道宽窄; 2．沟道变形;1) 截止区vGSVT, iD=0 ;三、耗尽型N沟道MOS管的特性曲线;输出特性曲线;四、说明： （1）MOS管有四种基本类型； （2）增强型的MOS管的vGS必须超过一定的值以使沟道形成； 耗尽型的MOS管使形成沟道的vGS可正可负； （3）MOS管的输入阻抗特别高 （4）衡量场效应管的放大能力用跨导 单位：ms ;五、MOS管的有关问题;五、MOS管的有关问题;五、MOS管的有关问题;G(栅极);;;2、工作原理（以N沟道为例）;vDS=0V时;VDS=0时;|vGS||Vp|且vDS0、|vGD| = |vGS-vDS| |VP |时耗尽区的形状;;|vGS | |Vp | ，vGD=VP时;此时，电流iD由未被夹断区域中的载流子形成，基本不随vDS的增加而增加，呈恒流特性。;结论： （1）因为栅源间加反向电压，故栅极几乎不取电流； （2）输出电流id受vGS控制，故场效应管是一种电压控制器件； （3）由于受电场梯度的影响，耗尽层呈上宽下窄的形式，故总是沟道的上部先被夹断；;恒流区（饱和区）;;;;(a) 输出特性曲线 (b) 转移特性曲线;一、直流参数 (1)夹断电压VP：当栅源电压vGS=VP时，iD=0。 (2)饱和漏极电流IDSS(ID0)：IDSS指的是对应vGS=0时的漏极电流。 (3) 直流输入电阻RGS RGS在106~109Ω之间。 通常认为RGS →∞。 ;二、极限参数 场效应管也有一定的运用极限，若超过这些极限值，管子就可能损坏。场效应管的极限参数如下： (1)最大漏源电压V(BR)DS。 (2)最大栅源电压V(BR)GS。 (3)最大功耗PDM：PDM=ID·VDS ;三、交流参数 1跨导gm ;场效应管的零温度系数点 ; 结型场效应管的缺点：;;各种场效应管的转移特性和输出特性对比 (b)输出特性;?;§ 5.3场效应管放大电路;1、自偏压电路;例5.2.1 P212;(2)带源电阻的共源放大电路;例5.2.3 P214 电流源偏置共源放大电路;以自偏压电路为例;（1）根据VDD=Vds+ID（RD+RS）在输出特性上作直流负载线； （2）作负载转移特性； （3）作源极负载线； （4）决定静态工作点； （5）在??移特性和输出特性上求出Q;二、 场效应管的微变等效电路;;G;;;;输出电阻 Ro;例5.2.6（共漏极放大电路）：;例5.2.6：;CE / CB / CC CS / CG / CD;场效应管放大电路小结;在T1 位置上画出合适的FET； 若T1的漏极电位VD= 14V，其gm = 3ms，求T1的静态值ID、VDS、VGS？ 若T2的β = 50，VBE = 0.6 V，求T2的静态值IB、IC、VCE？ 画出微变等效电路，并求AV、Ri、RO。;作业:P249: 5.1.4 5.3.4 5.3.5 5.2.9 5.3.8 5.5.4 练习:P249: 5.1.1, 5.1.2 5.3.3