《基础电子技术》1.3半导体二极管.pptVIP

二极管的动态电阻rd的求解 1.3 半导体二极管 1.3.1 二极管的几种常见结构 1.3.2 二极管的伏安特性曲线 1.3.3 二极管的主要参数 1.3.4 二极管的温度特性 1.3.1 二极管的几种常见结构 在PN结上加上引线和封装，就成为一个二极管。二极管按结构分有点接触型、面接触型和平面型三大类。它们的结构示意图如图01.03.01所示。 1.3.1.1 点接触型二极管 (a)点接触型 图 01.03.01 二极管的结构示意图 点接触型二极管PN结面积小，结电容小，用于检波和变频等高频电路。 1.3.1.2 面接触型二极管 (b)面接触型 图 01.03.01 二极管的结构示意图 PN结面积大，用于工频大电流整流电路。 (c)平面型 1.3.1.3 平面型二极管 往往用于集成电路制造工艺中。PN 结面积可大可小，用于高频整流和开关电路中。 图 01.03.01 二极管的结构示意图 1.3.2 二极管的伏安特性曲线 半导体二极管的伏安特性曲线如图01.03.02所示。处于第一象限的是正向伏安特性曲线，处于第三象限的是反向伏安特性曲线。 图01.03.02 二极管的伏安特性曲线 图 01.03.03 二极管伏安特性曲线的正向区 加入正向电压后，二极管并没有出现电流，有一个死区。当正向电压加到一个被称为开启电压Uth(on)之值后，正向电流开始比较明显地出现，此时正向特性曲线非线性较大。当正向电流较大时，特性曲线也具有较好的线性度。 硅二极管和锗二极管的正向特性有所不同，主要表现在开启电压不同，硅二极管的Uth(on)为0.4~0.5V；锗二极管的Uth(on) 为0.1~0.2V。 在反向区，硅二极管和锗二极管的特性有所不同。硅二极管的反向击穿特性比较硬、比较陡，反向饱和电流很小；锗二极管的反向击穿特性比较软，过渡比较圆滑，反向饱和电流较大。 从击穿机理上看， 当硅二极管|UBR|≥7V时,主要是雪崩击穿；当|UBR|≤4V时，则主要是齐纳击穿。当在4～7V之间两种击穿都有，有可能获得零温度系数点。 图 01.03.04 伏安特性曲线的反向区 1.3.3 二极管的主要参数 半导体二极管的参数包括最大整流电流IF、反向击穿电压UBR、最大反向工作电压URM、反向电流IR、最高工作频率fmax和结电容Cj等。几个主要的参数介绍如下： 1. 最大整流电流 IF ——二极管长期连续工作时，在整流状态下的平均电流的最大值。 2. 反向击穿电压UBR和最大反向工作电压URM ——当二极管所加反向电压使反向电流急剧增加时，所对应的反向电压称为反向击穿电压UBR ；为安全计，在工作时，二极管所加的最大反向工作电压URM只有反向击穿电压的一半左右。 3. 反向电流IR ——在室温下，在规定的反向电压下，一般是最大反向工作电压下的反向电流值。硅二极管的反向电流一般在纳安(nA)级；锗二极管在微安(?A)级。 4. 正向压降UF ——在规定的正向电流下，二极管的正向电压降。小电流硅二极管的正向压降在中等电流水平下，为0.6～0.8V；锗二极管为0.2～0.3V。 5. 动态电阻 rd ——反映了二极管正向特性曲线斜率的倒数。显然， rd与工作电流的大小有关，即 rd =?UF /?IF Q Q 二极管的动态电阻属于交流参数，是二极管对它两端交流电压呈现出的电阻值。rd 可以用二极管伏安特性曲线斜率的倒数来表示，rd的大小和工作点Q有关。 图 01.03.05 二极管的动态电阻 1.3.4 二极管的温度特性 温度对二极管的性能有较大的影响，温度升高时，反向电流IR将呈指数规律增加，二极管基本遵循温度每增加10℃，反向电流将约增加一倍的规律。例如温度增加20℃,反向电流将约增加4倍。 另外，温度升高时，二极管的正向压降将减小，每增加1℃，正向压降ＵF(ＵD)大约减小2mV，即具有负的温度系数。这些特点可以从图01.02.06所示的温度对二极管伏安特性曲线的影响上看出。 图 01.03.06 温度对二极管伏安特性曲线的影响 　　温度的变化将使UBR改变，当UBR的绝对值较大时， UBR 具有正温度系数，反向击穿是雪崩击穿。例如当温度增加时除了IR增加外， UBR也稍有增加。 负温度系数 正温度系数 反向饱和 电流加大 二极管的反向击穿电压的机理比较复杂，在此只做一般性说明，