《基础电子技术》7.5cmos逻辑门.pptVIP

7.5 CMOS逻辑门 7.5.1 电阻负载N沟道增强型 MOS反相器 7.5.2 饱和型负载管MOS反相器 7.5.3 CMOS门电路 7.5.1.1 电路组成 N沟道增强型MOS反相器如图所示 。该电路与双极型三极管反相器比较，除了器件不同之外没有什么不同。 当输入高电平时，MOS管饱和导通。此时，输出电压为 若 RD RDS ，则 7.5.1 电阻负载N沟道增强型MOS反相器 7.5.1.2 工作原理 当输入为低电平时, MOS管截止, 输出电压为 若RL RD ，则 RL一般为后级MOS管的输入电阻 ，阻值在1012?以上, RL RD这一条件, 很容易满足。 但是，在制造集成电路时，大阻值的电阻需要占用较大的面积，为此实际的反相器的RD是用一个MOS管替代的。 饱和型负载管MOS反相器如图所示。 7.5.2 饱和型负载管MOS反相器 当输入高电平时，MOS管饱和导通。此时，输出电压为 若 RDS2 RDS1 ，则 RDS2 RDS1这一条件是由制造时，通过沟道几何尺寸的宽长比例加以保证的。 缺点 ： 由于输入高电平时，VT1和VT2都导通，为此有一个从到下的贯通电流流过MOS管，使反相器的功耗较大。这是该电路的第一个缺点。 当输入为低电平时, MOS管VT1截止, 输出电压为 若RL RDS2 ，则 对电容负载的驱动能力差。由于RD2大，IoH就小，因此输出电压的上升边沿就大，这就限制了该反相器的工作速度。? = （RD2 //RL）CL 。 2.6.3 CMOS反相器 CMOS反相器的电路如图所示。它由一个N沟道MOS管和一个P沟道MOS管组成。两个栅极相连作为输入端，两个漏极相连作为输出端。 当输入为高电平时，VTN导通，VTP截止。输出低电平。 当输入为低电平时， VTP 导通， VTN截止。输出高电平。 优点： 因为VTP 和 VTN不同时导通，所以没有从上到下的贯通电流，功耗十分微小。功耗小是指静态功耗。 对电容负载的驱动能力较强。RDS可以做的较小，速度快。 所以CMOS逻辑门速度较快，而功耗却较小，是优质因子较高的集成电路，是现在大规模集成电路的主流品种。 CMOS集成电路还有一系列特点 ： 1.供电电压范围宽，1.5V~20V ; 2.高电平接近电源电压, 约比电源电压小0.1V , 对电源 电压的利用率高;低电平接近等于0 , 约 0.1V; 3.与TTL的连接问题,即逻辑电平兼容的问题 ; 4. 阈值电平为电源电压的40%~60% , 噪声容限大; 5. CMOS的动态功耗将随工作频率的提高而提高 ; 6. 扇出系数与工作频率有关，与输出端的分布电容有关。 CMOS门电路的电压传输特性曲线如下左图所示; CMOS门电路的速度功耗特性曲线如下右图所示。 7.5.3.1 CMOS与非门 CMOS与非门的等效方框图如图所示。 CMOS门电路是一种组合门，主要特点是在输入端和输出端都有反相器，反相器主要起缓冲隔离作用。 7.5.3 CMOS门电路 7.5.3.2 CMOS或非门 7.5.3.3 CMOS传输门 CMOS传输门是CMOS集成电路中所特有的品种，TTL集成电路中没有这种电路。CMOS传输门如图所示。 设MOS管的开启电压： VTN管 2V VTP管 -2V uI 0 1 2 3 4 5 （V） VTN √ √ √ √? ? ? VTP ? ? ?√ √ √ √ uO 0 1 2 3 4 5 (V) 当EN=H时，传输门按下表工作 当EN=L时，两个MOS管都截止，传输门不通，呈高阻。