《模拟电子技术》2章常用半导体器件及应用题解.docVIP

第二章 常用半导体器件及应用 一、习题 2.1填空 1. 半导材料有个特性，它们是 、 、 。 2. 在本征半导体中加入 元素可形成N型半导体，加入 元素可形成P型半导体。 3. 二极管的主要特性是 。 4．在常温下，硅二极管的门限电压约为 V，导通后的正向压降约为 V；锗二极管的门限电压约为 V，导通后的正向压降约为 V。 5．在常温下，发光二极管的正向导通电压约为 V， 考虑发光二极管的发光亮度和寿命，其工作电流一般控制在 mA。 6. 晶体管(BJT)是一种 控制器件；场效应管是一种 控制器件。 7. 晶体管按结构分有 和 两种类型。 8. 晶体管按材料分有 和 两种类型。 9. NPN和PNP晶体管的主要区别是电压和电流的 不同。 10. 晶体管实现放大作用的外部条件是发射结 、集电结 。 11. 晶体管的三个工作区域分别是 、 、 。 12. 晶体管放大电路有三种组态 、 、 。 1. 有两个放大倍数相同，输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。在负载开路的条件下，测得A放大器的输出电压小，这说明A的输入电阻 。 1．三极管的交流等效输入电阻随 变化。 1．共集电极放大电路的输入电阻很 ，输出电阻很 。 1．射极跟随器的三个主要特点是 、 、 。 1．放大器的静态工作点由它的 决定，而放大器的增益、输入电阻、输出电阻等由它的 决定。 1．图解法适合于 ，而等效电路法则适合于 。 ．在单级共射极放大电路中，如果输入为正弦波，用示波器观察uo和ui的波形的相位关系为 ；当为共集电极电路时，则uo和ui的相位关系为 。 2. 在共射极放大电路中，其输出电压的波形底部被削掉，称为 失真，原因是Q点 (太高或太低)，输出电压的波形顶部被削掉，称为 失真，原因是Q点 (太高或太低)。如果其输出电压的波形顶部底都被削掉，原因是 。 2．某三极管处于放大状态，三个电极A、B、C的电位分别为9V、2V和1.4V，则该三极管属于 型，由 半导体材料制成。 2．在题图P2.1电路中，某一元件参数变化时，将UCEQ的变化情况(增加；减小；不变)填入相应的空格内。 (1) Rb增加时，UCEQ将 。 (2) Rc减小时，UCEQ将 。 (3) R增加时，UCEQ将 。 (4) Rs增加时，UCEQ将 。 (5) β增加时(换管子)，UCEQ将 。 2．为了使结型场效应管正常工作，栅源间PN结必须加 电压来改变导电沟道的宽度，它的输入电阻比双极性晶体管的输入电阻 。 2．由于三极管 ，所以将它称为双极型，由于场效应管 ，所以将其称为单极型。 2． 对于耗尽型MOS管UGS可以为 。对于增强型N沟道MOS管，UGS只能为 ，并且只有当UGS 时，才能形有d。 2．场效应管与三极管相比较，其输入电阻 噪声 温度稳定性 放大能力 。 2. 场效应管放大器常用偏置电路一般有 和 两种类型。 . 低频跨导gm反映了场效应管 对 控制能力，其单位为 。 UGS(th)。 （26）高、低、好、弱。 （27）自给式、分压式。 （28）UGS、ID、西门子（ms）。 2.2 选择题 1．二极管加正向电压时，其正向电流是由( )。 ()多数载流子扩散形成 ()多数载流子漂移形成 ()少数载流子漂移形成 ()少数载流子扩散形成 2．PN结反向偏置电压的数值增大，但小于击穿电压，( )。 ()其反向电流增大 (B)其反向电流减小 ()其反向电流基本不变 ()其正向电流增大 3．稳压二极管是利用PN结的( )。 ()单向导电性 ()反偏截止特性 ()电容特性 (D)反向击穿特性 4．变容二极管在电路中使用时，其PN结( )。(A)正偏 (B)反偏 写出题图P2.2所示各电路的输出电压值(设二极管均为理想二极管)