《无机化学第4版》08-2配合物的化学键理论.pptVIP

8.2 配位化合物的化学键理论 该三轨道插在配体的空隙中间，其电子受到静电斥力较小，能量比前二轨道低 E0 E 自由离子 Es 球形场中 eg t2g 八面体场 dx2-y2 dz2 dxy dxz dyz 8.2 配位化合物的化学键理论 3. 分裂能及其影响因素 中心离子d轨道能级分裂后， 最高能级和最低能级之差。 晶体场分裂能 ?o=Eeg - Et2g E0 E 自由离子 eg t2g 八面体场 Es 球形场中 △o 8-2-2 晶体场理论 8.2 配位化合物的化学键理论 E0 E 自由离子 球形场 弱八面体场 强八面体场 t2g eg dx2-y2 dz2 dxy dxz dyz △o Es dx2-y2 dz2 dxy dxz dyz △?o 配位场越强,d轨道能级分裂程度越大 不同构型的配合物，中心离子d轨道 能级分裂情况不同 注意 3. 分裂能及其影响因素 8.2 配位化合物的化学键理论 影响分裂能的因素 同种配体 一般 △o △t (四面体场) △t = △o 4 9 配合物的几何构型 8.2 配位化合物的化学键理论 影响分裂能的因素 配体的性质 同一中心离子形成相同构型的配合物，不同的配体, 配体场强不同, △ 不同。 CN- NH3 H2O F- Cl- 配体 314 [Cr(CN)6]3- 258 [Cr(NH3)6]3+ 208 [Cr(H2O)6]3+ 182 [CrF6]3- 158 [CrCl6]3- 分裂能△o/(kJ·mol-1) 配离子 配位体场增强 8.2 配位化合物的化学键理论 影响分裂能的因素 配体的性质 ——以上称为光谱化学系列 I-Br-S2-SCN-?Cl-NO3 F-OH- ONO-C2O4 H2ONCS-edta NH3enNO2-CN-?CO 弱场配体 强场配体 - 2- 8.2 配位化合物的化学键理论 中心离子的电荷 同一过渡元素与相同配体形成配合物时，中心离子电荷越多，其△越大 Cu2+ Ni2+ Co2+ Fe2+ Mn2+ Cr2+ V2+ Ti2+ 过渡金属离子 - - - 164 251 208 211 243 △o/(kJ·mol-1) d8 d7 d6 d5 d4 d3 d2 d1 M3+的d电子数 Cu3+ Ni3+ Co3+ Fe3+ Mn3+ Cr3+ V3+ Ti3+ 过渡金属离子 151 102 111 124 93 166 151 - △o/(kJ·mol-1) d9 d8 d7 d6 d5 d4 d3 d2 M2+的d电子数 如 [M(H2O)6]2+和[M(H2O)6]3+的△ 影响分裂能的因素 8.2 配位化合物的化学键理论 影响分裂能的因素 元素所在周期数 相同氧化数、同族过渡元素与相同配体形成配合物时，中心离子所在周期数越大，其△越大 490 [Ir(NH3)6]3+ 六 408 [Rh(NH3)6]3+ 五 274 [Co(NH3)6]3+ 四 △o/(kJ·mol-1) 配离子 周 期 第8章 配位化合物 第8章 配位化合物 第8章 配位化合物 * 无 机 化 学 崔建中 鲁凡丽 田昀 编制 高等教育出版社 出版 第八章 配位化合物 无机化学电子教案 无机化学电子教案 无机化学电子教案 无 机 化 学 第八章 配位化合物 第二节 配合物的化学键理论 第八章 配位化合物 8.2 配位化合物的化学键理论 是指配合物中的形成体与配体之间的化学键 目前有以下几种理论： （1）价键理论(VBT) （2）晶体场理论(CFT) （3）分子轨道理论(MOT) （4）配位场理论(LFT) 配合物中的化学键 8.2 配位化合物的化学键理论 8-2-1 价键理论 形成体的杂化轨道与配位原子的孤电子对的原子轨道成键, 形成?配位键，即M←L 形成体 价层电子构型 杂化轨道类型 配合物的几何构型和配位键的键型 基本要点 8.2 配位化合物的化学键理论 1. 配合物的几何构型和配位键键型 几何构型 由于形成体的杂化轨道具有一定的伸展方向，使形成的配合物具有一定的几何构型 8-2-1 价键理论 轨道杂化类型与配位个体的几何构型 6 5 4 3 [Hg(NH3)2]2+ 直线形 sp 2 实例 几何构型 杂化类型 配位数 8.2 配位化合物的化学键理论 8-2-1 价键理论 2NH3 [Hg(NH3)2]2+ Hg2+价层电子结构为 5d 6s 6p 5d sp