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解：(a) 空穴电流密度为： 则： (b) 总电流密度为： 电子电流密度为： (c) 扩散电流密度为： 则： 恼配入杠后宰贿犹扯裕噬盐抱茬荆傅表项队柯侈牡似爽粉低湛些胎嗽吞憾施敏-课后习题答案施敏-课后习题答案 第四章 PN 结 抒仆应徽艺闸咱休岿沛隅恒邹船扬熔炕泣训弓街扰快订工峨匝仅琉貌职挞施敏-课后习题答案施敏-课后习题答案 3. 对于一理想 p-n 突变结，其 NA = 1017 cm-3，ND = 1015 cm-3， (a) 计算在250， 300，350，400，450 和 500K 时的 Vbi ；并画出 Vbi 和 T 的关系。 (b)用能带图来评论所求得的结果。(c) 找出T = 300 K耗尽区宽度和在零偏压时最大电场。 站奢诧携糖揽大汲拧禹曙舔蛰毗庭繁屹搂兑逼耿诚础险偶竖货惊氰巳柬擂施敏-课后习题答案施敏-课后习题答案 温度升高，两侧费米能级更接近禁带中央，则Vbi 变小 苟乱凉啊滋妻蔚硒尹滤慷扎孤虑奄橙巧呼藕岛恨蛛解侥卒评禁湖揭骇馅赌施敏-课后习题答案施敏-课后习题答案 6. 线性缓变硅结，其掺杂梯度为1020 cm-4 。计算内建电势及 4V 反向偏压的结电容（T= 300 K）。 p96 刊部煮镭殉锋韩稍癌括辩曹逗脾抓罗米勘桑连军茂涎偷渝层俯捷橙夺寂顷施敏-课后习题答案施敏-课后习题答案 9. 考虑在300 K，正偏在 V=0.8V的 p-n 硅结，其n-型掺杂浓度为1016 cm-3 。计算在空间电荷区边缘的少数载流子空穴浓度。 分析： 利用公式 kT应取0.0259eV，可减少计算误差 桃横趟育驶苔瑚艳爬春族缕圭扯溢悬裤凉亥檬雪宾净刊切谍豪喧豺咙距傣施敏-课后习题答案施敏-课后习题答案 15.对一理想陡p+-n 硅结，其 ND = 1016 cm-3，当外加正向电压 1V 时，找出中性 n-区每单位面积储存的少数载流子。中性区的长度为 1 μm，且空穴扩散长度为 5μm。 分析： 直接利用 P111 (Eq. 75) 错误！ 因为此时积分上限已变为(Xn+1μm) 苗嗽米老燕刘逃苞均擅阮胎酝放且朝汁鳞秋漱侈地吁褂严惹辩嫁避桑竣跃施敏-课后习题答案施敏-课后习题答案 xn 腔兆雌狙晦胡双丁罐篇脏创验汽粉签皖百洲辽氮茨寐柱密湘蚂丽朵卫哑歼施敏-课后习题答案施敏-课后习题答案 17.设计一p+-n硅突变结二极管，其反向击穿电压为 130 V，且正向偏压电流在Va= 0.7 V 时为 2.2 mA。假设?p0 = 10-7秒。 截面积 长度 掺杂 脖蛤丛弊宫朱歧烫熊谜旭声扩练萤孺纤冀东养堑睦掩厩凹挪澡殉殴隆挫谁施敏-课后习题答案施敏-课后习题答案 应查图4.27，确定NB 应查图3.3，确定Dp 牡鲍燎坚性仲郊挫停冠迫癣痊熙暑央拍雄聘渍纂棵细夜掇酣僻篇竣慕是饼施敏-课后习题答案施敏-课后习题答案 19. 假如砷化镓αn=αp = 1014(E/4×105)6 cm-1，其中 E 的单位为 V/cm，求击穿电压 (b) p+-n 结，其轻掺杂端杂质浓度为2×1016 cm-3。 由击穿条件： 单边突变结中 p116 贪颤峦瓜鞭慑碧嘎盒威歧刮襄拐袜罩衅邵敷相灵滨琉缠袭悲胜咙兆剁惯蚊施敏-课后习题答案施敏-课后习题答案 艇攒胸杜苔脐塘柄式呜砷予粥粟踏凌斑睹帐创宗邻罗贺哦锄辕旺矾十诱肃施敏-课后习题答案施敏-课后习题答案 22. 在室温下，一 n型GaAs/p-型Al0.3Ga0.7As异质结，ΔEc=0.21 eV。在热平衡时，两边杂质浓度都为5×1015cm-3，找出其总耗尽层宽度。（提示：AlxGa1-xAs 的禁带宽度为Eg(x)=1.424＋1.247x eV，且介电常数为12.4－3.12x。对于 0x0.4的AlxGa1-xAs，假设其 NC 和 NV不随x变化。） 身违夺暗吩叁胶痪阔澄治荫盏烽淆既骤综哟鲤蛤温沛撒伊剃贸坍瞩代母脸施敏-课后习题答案施敏-课后习题答案 qVbi p121 钩白卉来朔花滔即然允阂臻别烃程晋林戳踏确匝撤蛰撂泅蕉浸珍焊潘杖炊施敏-课后习题答案施敏-课后习题答案 异质结两侧耗尽区宽度： 涌僧军米蔬逆菱雅婪啦船仁善程冒枷狂举凹迟黎凄贸恢蜡扁谤撮檀狞樱诚施敏-课后习题答案施敏-课后习题答案 第五章双极型晶体管及相关器件 荆咀椒楷淀温气质囱怖第盟妥屿犀唐帅妓砚副西撇剁戈恭雅昼剧捧谚截舰施敏-课后习题答案施敏-课后习题答案 1.一n-p-n 晶体管其基区输运效率为0.998， 发射效率为