模拟电子技术填空题重点.doc

N型半导体多数载流子是带负电荷的自由电子，所以N型半导体 电中性。 PN结正向偏置时，其正向电流是由 多数载流子扩散而成。 PN结反向偏置时，参与导电的是 少数载流子。 二极管的正向电阻 远小于 反向电阻。 二级管的导通条件是 UD死区电压。 当温度升高后，二极管的正向电压 减少。 把一个二极管直接同一个电动势为1.5V，内阻为0的电池正向连接构成的闭合回路，该管 因电流过大而烧坏。 稳压管是利用PN结的 反向击穿特性 来达到目的。 晶体管能够起放大作用的外部条件是 发射结正偏集电结反偏。 测得电路中某晶体管的发射结集电结电压都大于0，则它工作在 饱和 状态。 测得某晶体管三个电极的静态电流分别为0.06mA，3.66 mA，3.60 mA，则β为 60. 单管基本共发射极放大电路出现饱和失真时，应使RB的阻值 增大。 利用微变等效电路可以计算晶体管放大电路的 交流（动态）参数。 射极输出的特点是 Au1且Au≈1，输入电阻大输出电阻小。 为了使高内阻信号源与低内阻负载很好地配合，应在信号源与负载之间接入 共集电极放大电路。 多级放大电路与组成它的各个单级放大电路相比，fL升高，fH降低。 场效应管是一种 电压 控制器件。 场效应晶体管是通过改变 栅源电压 来控制漏极电流的。 对于结型场效应晶体管，栅源极之间的PN结 必须反偏。 场效应晶体管的主要晶体管的主要主要优点是 输入电阻大。 增强型PMOS管的反型层有 空穴 组成。 分压式偏置电路中的栅极电阻RG一般阻值很大，这是为了 提高输入电阻。 用于放大时，场效应晶体管应在输出特性曲线的 恒流区。 集成运放电路中采用直接耦合方式的原因是 容易集成。 集成运放中采用有源负载是为了 增大电压放大倍数。 从外部看，集成运放可以等效为提高性能的 双入单出 差分放大电路。 差分放大电路是为了 抑制零点漂移。 差分放大电路是 利用参数的对称性及引入共模反馈 来抑制克服零漂。 衡量差分放大电路抑制零漂能力的指标是 共模抑制比。 理想集成运放的开环差模输入电阻rid等于正无穷。 理想集成运放的两个重要结论是 虚短与虚断。 反馈信号 反取自输出信号。 交流负反馈是指存在于 交流通路中的负反馈。 某放大器的信号源的内阻很大，为稳定输出电压，应当引入 并联电压 负反馈。 利用负反馈可以使反馈环内引起非线性失真 减小。 深度串联负反馈放大器，相当于一个 压控电流源。 运放的参数共模抑制比 越大越好。 施加深度负反馈可使运放进入 线性工作区。 由理想运放结构成的线性应用电路，其中电路增益与运放本射参数 无关。 欲将方波电压转换成尖顶脉冲电压，应选用 微分运算电路。 功率放大器的主要作用主要是向负载提高足够大的 功率。 放大电路的一项重要指标是避免失真，能克服交越失真的功放电路是 甲乙类功效。 乙类功放中三极管的导通角等于 180°。 乙类功放电路的输出功率为0时，管子的损耗是 0。 对双电源乙类互补功放电路，若要求最大输出功率为5W，则每只功放管的最大允许管耗至少应大于 1W。 资料来自 ★夏ぜ醉雷★ 仅供参考