第04章光伏探测器(zm2014秋)剖析.pptx

;;1. 光照下的PN结电流方程及伏安特性;1. 光照下的PN结电流方程及伏安特性;1）零偏置的光伏工作模式; 2）反向偏置的光电导工作模式;3）正向偏置的工作模式;;4） 光伏和光导工作模式比较;5）等效电路 （意义：分析与计算）; 2. 开路电压Uoc和短路电流Isc;3. 暗电流和温度特性;4．噪声、信噪比和噪声等效功率;光电二极管噪声等效功率计算;5. 光谱特性;; 6. 响应时间和频率特性 ;;比较：频率特性;光伏探测器（结型器件）与光电导器件的区别在于：;;4.2.1 硅光电池 ; 4.2.1 硅光电池 ;;;4.2.2 硅光电二极管;2DU系列光电二极管有三条引出线，除了前极、后极外，还设了一个环极，减少暗电流和噪声。 ;掺杂浓度较低； 电阻率较高； 结区面积小； 通常多工作于反偏置状态； 结电容小，频率特性好； 光电流比光电池小得多，一般多在微安级;4.2.3 硅光电三极管;光电转换;;2.特性;(2)光电特性 ;(3)光电特性时间响应（频率特性） ;(4)温度特性 ;比较：光电三极管与光电二极管 表4－3和表4－2;/;无基极引线的光电三极管：依靠光“注入”把集电结光电二极管的光电流加以放大。 有基极引线的光电三极管：在基极上提供一定偏流，以减少器件的发射极电阻，改善弱光条件下的频率特性，同时使光电三极管的交流放大倍数β进入线性区，有利于调制光的探测。适用于高速开关电路和调制光的探测。;结构特点：PN之间夹着一层（相对）很厚的本征半导体（I－intrinsic）层或轻掺杂层。;性能特点：;;;4.2.5 雪崩光电二极管;;拉通型 RAPD（同质结）;;;3.噪声特性;;5.其它APD; （2）SAGM-APD（异质结）;控制超晶格薄层的厚度，可以改变探测器响应波长。;4.2.6 紫外光电二极管;2）肖特基结光电二极管;4.2.7 碲镉汞、碲锡铅红外光电二极管;;;小结：;; 光伏探测器组合器件的特点： 大多在一块硅片上按一定要求制造出若干个光伏探测器，可用来代替由分立光伏探测器而组成的变换装置，不仅具有光敏点密集量大，装置结构简单、紧凑、调节方便、精确度高等优点，而且还可以扩大变换装置的应用范围。;4.3.1半导体色敏感器件 ;4.3.1半导体色敏感器件 ;2.短路电流比 ;3.检测电路 ;4???三色硅色敏器件;/products.asp?id=401qt=page=1;5.应用举例 ;4.3.2 阵列式光电器件;;4.3.3象限式光电器件;;;Quadrant（or Four segmented） photodiode;楔环阵列组合件;4.3.4光电位置探测器;;2.二维PSD器件;;PSD三角测距技术 ;光电开关和光电耦合器是发光器件与接收器件组合的一种元件。;;例：用光电耦合器隔离的高压稳压电路;;反向偏置电路 ;4.4.1自偏置电路;三种工作状态：;RL0=0 (运放虚短);2．空载电压输出区;RL～1MΩ 光电池处于接近开路状态 ;3. 线性电压输出;由给定的Φmax，;思考题 ;4.4.2零伏偏置电路 ;;4.4.3反向偏置电路;;1.基本反向偏置电路;;选择负载电阻RL和偏置电压Ub ：;思考题 ;(1).为保证2DU工作于线性区且 Rb最大，过拐点作负载线，则: ;2.反偏光电二极管的跨阻抗放大电路 ;;;反向偏置电路 ;