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第7章 半导体存储器 7.1 概述 7.2 只读存储器（ROM) 7.3 随机存储器（RAM） 7.4 存储器容量的扩展 7.5 用存储器实现组合逻辑函数 掩模ROM的特点： 出厂时已经固定，不能更改，适合大量生产 简单，便宜，非易失性。 7.2.2 可编程ROM（PROM） 总体结构与掩模ROM一样，但存储单元不同 三、快闪存储器（Flash Memory） 为提高集成度，省去T2（选通管） 改用叠栅MOS管（类似SIMOS管） 7.3.2* 动态随机存储器（DRAM） 二、举例 7.3.1 静态随机存储器(SRAM) 二、SRAM静态存储单元 无论读出还是写入操作，都必须使行选线X和列选线Y同时为“1”. RS锁存器 PMOS管 动态存储单元是利用MOS管栅极电容可以存储电荷的原理。 四管DRAM 三管DRAM 单管DRAM 7.4 存储器容量的扩展 7.4.1 位扩展方式 适用于每片RAM、ROM字数够用而位数不够时 例：用八片1024 x 1位→ 1024 x 8位的RAM 接法：将各片的地址线、读写线、片选线并联即可 7.4.2 字扩展方式 适用于每片RAM、ROM 位数够用而字数不够时 1024 x 8 RAM 例：用四片256 x 8位→1024 x 8位 RAM * * 7.1 概述 一、概念 半导体存储器是一种能存储大量二值数字信息的半导体器件,是现代数字系统特别是计算机中的重要组成部分。 输入/出电路 I/O 输入/出 控制 ！单元数庞大 ！输入/输出引脚数目有限 一般结构形式 7.1 概述 一、概念 半导体存储器是一种能存储大量二值数字信息的半导体器件,是现代数字系统特别是计算机中的重要组成部分。 半导体存储器 只读存储器ROM UVEPROM Flash Memory E2PROM 固定ROM（又称掩膜ROM） 可编程ROM(PROM) 随机存储器RAM 静态RAM （SRAM） 动态RAM （DRAM） 1、按存/取功能分： 二 、分类 (Read-Only-Memory） 可擦除的可编程ROM(EPROM) （Random-Access-Memory） ②缺点：在正常工作状态下，只能读出而不能写 入数据，只适用于存储固定数据的场合。 只读存储器（ROM）的特点： ①优点：电路结构简单，断电后数据不丢失。 随机存储器（RAM）的特点： ①优点：在正常工作状态下，可随时读出或写入数 据，使用灵活； ②缺点：断电后存储的数据随之消失，具有易失性。 7.1 概述 7.2.1 掩膜（固定）只读存储器 一. ROM的基本结构 ROM主要由地址译码器、存储矩阵和输出缓冲器三部分组成，其基本结构如图所示。 7.2 只读存储器（ROM） ROM的基本结构 字线 位线 （数据线） 地址 （n位） 7.2.1 掩膜（固定）只读存储器 1.存储矩阵：由许多二极管、双极型三极管或者MOS管构成的存储单元排列 而成。每个存储单元可存储1位二值信息（“0”或“1”）。 ROM的基本结构 字线 位线 （数据线） 2.地址译码器：将输入地址译成相应的控制信号，从存储矩阵中将 指定的单元选出，并把其中的数据送到输出缓冲器。 地址 （n位） 7.2.1 掩膜（固定）只读存储器 ROM的基本结构 字线 位线 （数据线） 3.输出缓冲器：① 提高存储器的带负载能力。 ② 实现对输出状态的三态控制，以便与总线连接。 地址 （n位） 7.2.1 掩膜（固定）只读存储器 ROM的基本结构 字线 位线 （数据线） 地址 （n位） 按“字”来存入、读出数据，每个“字”由若干个存储单元组成，即包含若干“位”。字的位数称为“字长”。 7.2.1 掩膜（固定）只读存储器 ROM的基本结构 字线 位线 （数据线） 地址 （n位） 每当给定一组输入地址时，译码器选中某一条输出字线Wi，该字线对应存储矩阵中的某个“字”，并将该字中的m位信息通过位线送至输出缓冲器进行输出。 7.2.1 掩膜（固定）只读存储器 ROM的基本结构 字线 位线 （数据线） 地址 （n位） 存储器的容量＝字数×位数＝2n×m位 7.2.1 掩膜（固定）只读存储器 二、举例 7.2.1 掩膜（固定）只读存储器 A0~An-1 W0 W(2n-1) D0 Dm 7.2.1 掩膜（固定）只读存储器 地址译码器实现地址码的与运算，每条字线对应一个最小项。 7.2.1 掩膜（固定