第二章扩散精要.pptVIP

(1) 气态源： AsH3，PH3，B2H6 (2) 固态源： 四、扩散工艺和设备 1、目前的扩散工艺已基本被离子注入取代，只有在进行重掺 杂时还用扩散工艺进行。 2、 扩散工艺的分类主要取决于杂质源的形态，常见的杂质源 形态包括： 单磷酸铵 (NH4H2PO4) 砷酸铝 (AlAsO4) 硼源：BBr3(沸点90℃) 磷源：POCl3(沸点107℃) (3) 液态源 ■ 防止引入污染 ■ 工艺参数控制：温度分布、气流量和排片方式、片间距等 ■ 工艺控制手段：前馈方式(试片)、使用假片 3、扩散设备类似于氧化炉管。 4、扩散工艺的控制要点： ■ 不能精确控制掺杂浓度和分布，横向效应大 ■ 不适于低剂量、浅分布的掺杂工艺 ■ 扩散设备无法实现在线质量监控 5、扩散工艺的局限性 1） 在CMOS IC工艺中，只有多晶硅淀积后重掺杂P还采用 POCl3进行扩散掺杂。 2） 扩散工艺存在的主要问题： 3）随着器件尺寸的缩小，杂质分布要求越来越浅，掺杂精确度要 求越来越高，因此，扩散工艺在1980年代后逐步被离子注入掺 杂技术所取代。 2、主要的检测项目： 五、扩散工艺质量检测 获取作为深度和横向位置函数的杂质浓度(杂质分布) 1、目的： 四探针法测量样品薄层电阻 1）薄层电阻的测量： ■ 四探针法 当探针间距远远大于结深时，有 用于检测扩散分布时，必须保证衬底绝缘或扩散层一衬底问形成反偏PN结。 其中，F(Q)是形状因子，对于正方形结构， 范德堡法测量样品薄层电阻 1）薄层电阻的测量： ■ 范德堡法 图3.16 利用霍尔效应测量载流子 类型、迁移率和浓度。 ■ 利用霍尔效应，可直接测量总的载流子浓度，以及载 流子类型、迁移率等信息。 ■ 总的载流子浓度： 2）霍尔效应 ■ 平均迁移率： 3）杂质浓度—深度分布关系的测量 ■ MOS电容的C—V法 耗尽层宽度 二极管电容 杂质浓度 ■ 扩展电阻法 (1) 将样品磨出一个小角度斜面 (2) 将样品放在载片台上，用一对探针以预定压力与样品 表面接触，测量该电阻值。 (3) 将该电阻值与一个已知浓度的标准值进行比较， 从电阻率反推出载流子的分布。 主要问题 测量结果取决于点接触的重复性。 进表面测量比较困难。 测量样品与校准标准片比较接近。 ■ 二次离子质谱法(SIMS) 图3.18 SIMS装置图 样品放入仪器，抽真空。 1~5keV的离子束照射样品。 溅射材料向质谱仪 (4) 测量元素成分，测量杂质 浓度分布 ■ 卢瑟福背散射法(RBS) ■ 扩散工艺是重要的掺杂技术之一，扩散过程决定了杂 质在硅中的浓度和分布 ■ 一维扩散的费克定律和原子模型(空位扩散)是理解 杂质在半导体中扩散过程的重要理论 ■ 常用的扩散方法：预淀积扩散+推进扩散的两步扩散 法(用公式计算扩散后杂质分布和结深) ■ 影响扩散的主要因素：杂质浓度、气氛、杂质种类等 ■ 扩散工艺的质量检测：杂质浓度分布 本章小结： 作 业： 第二章 扩散工艺 (Diffusion process) ■ 概述 ■ 扩散原理(模型与公式) ■ 实际扩散分布的分析 ■ 扩散工艺和设备 ■ 扩散工艺质量检测 扩散工艺(Diffusion process) 参考资料： 《微电子制造科学原理与工程技术》第3章扩散 (电子讲稿中出现的图号是该书中的图号) ■ 在lC制造中主要采用扩散法和离子注入法。 ■ 高浓度深结掺杂采用热扩散法，浅结高精度掺杂用离子注入法。 一、概述 1、掺杂和扩散 1）掺杂 ( Doping) 用人为的方法将所需杂质按要求的浓度和分布掺入到半导体 材料中，达到改变材料的电学性质、形成半导体器件结构的 目的，称之为“ 掺杂 。 2）掺杂的方法 合金法、扩散法、离子注入法。 3）常用的掺杂杂质 P (磷)、B(硼)、 As(砷)、Sb(锑) 3）形成MOSFET中的漏区和源区 2、扩散工艺在IC制造中的主要用途： 1）形成硅中的扩散层电阻 2）形成双极型晶体管的基区和发射区 1）扩散运动：物质的随机热运动，趋向于降低其浓度梯度； 即存在一个从高浓度区向低浓度区的净移动。 2）扩散工艺：利用杂质的扩散运动，将所需要的杂质掺入硅 衬底中，并使其具有特定的浓度分布。 3）研究杂质在硅中