40 面蓝宝石生长的_11_0_a面氮化镓研究.pdf

2009 12 ( ) De . 2009 36 6 J OUR NAL OF XIDIAN UNIV ER SITY Vol . 36 No. 6 ( 1102) r ( 1120) a 许晟瑞, 段焕涛, 郝 跃, 张进城, 张金凤, 倪金玉, 胡仕刚, 李志 明 ( 西安电子科技大学 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室, 陕西 西安 710071) : 自发极化和压电极化是氮化镓 作光电器件没有解决的问题, 对非极性GaN 材料的研究解决了 极化现象. 采用低温AlN 作为缓冲层, 在( 1102) r 面蓝宝石和( 0001) c 面蓝宝石上分别生长了( 1120) 非 极性a 面和( 0001) 极性c 面GaN , 用原子力显微镜和高分辨X 射线衍射光致发光谱比较了生长在r 面 蓝宝石上的a 面GaN 和c 面蓝宝石上的c 面GaN, a 面GaN 材料质量和c 面GaN 相差较大, 在a 面GaN 上发现了三角坑的表面形貌, 这和传统的c 面生长的极性GaN 截然不同. 对a 面GaN 的缺陷形成原因 进行了讨论, 并且确定了三角坑缺陷的晶向. : 缺陷; 氮化镓; X 射线衍射; 非极性 : T N325 : A : 100 12400( 2009) Study of ( 1120) non pol ar aplane GaN on the ( 1102) rplane sapphire X UShengr ui, D UA N H uantao, H A O Yue, ZH A N G J incheng , ZH A N G J inf eng , N I J iny u, H U Shigang , LI Zhim ing ( Minist ry of Edu ation Key Lab. of W ide BandGap Semi ondu tor Materials and Devi es, X idian Univ . , Xian 71007 1, China) Abstract: The spontaneous and piezoele tri polarizat io represent one of the unsolved problems in utilizing GaN for fabri ating lightemitt ing devi es. T o solve the problem, nonpolar GaN stru tures have been studied. Lowtemperature AlN buffers are used for ( 1120) aplane GaN growth on the ( 1102) r plane sapphire. A ombination of atomi for e mi ros opy ( A FM) , high resolution Xray diffra tion ( XRD) and photolumines en e ( PL) spe trum is used to hara terize dislo ation of the ( 1120) aplane and ( 0001) cplane GaN epilay er. Compared w ith the typi al hex agonal dislo ation of cplane GaN , this show s gre