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维普资讯 第22卷 第 1期 材 料 研 究 学 报 Vo1．22 NO．1 2008年 2月 CHINESE J0URNAL OF MATERIALSRESEARCH February2008 C面蓝宝石衬底上6H—SiC薄膜的低压化学气相 外延生长与表征 郑海务 ，。 苏剑峰 。 顾玉宗 张 杨 傅竹西 。 1．微系统物理研究所，河南大学物理与电子学院 开封 475001 2．中国科学技术大学物理系 合肥 230026 摘 要 采用低压化学气相沉积方法在C面蓝宝石衬底上异质外延生长出高结晶质量和良好表面形貌的6H—SiC薄膜，研究了 C3H8气体流速对薄膜结晶质量的影响．随着 C3H8气体流速的降低，薄膜的结晶质量先增加后降低，表明薄膜的生长在开始阶 段受表面反应控制，而后受质量输运控制．所得到的结晶质量最好的 6H_siC薄膜，其摇摆曲线半高宽为 0．6。，已经达到单晶水 平．没有使用 AlN 过渡层，制备出结晶质量更好的SiC薄膜，表明对于蓝宝石衬底上 SiC薄膜的生长，起决定性因素的是温度， 过渡层不是影响SiC薄膜结晶质量的主要因素． 关键词 无机非金属材料，6H-SiC薄膜，低压CVD，蓝宝石，微结构 分类号 0782 文章编号 1005—3093(2008)01—0037-05 Heteroepitaxialgrowth and characterization of6H—SiC film son C-——planesapphiresubstratesusingLPCVD ZHENG Haiwul· SU Jianfeng GU Yuzongl ZHANG Yangl FU Zhuxiz 1．InsituteforPhysicsofMicrosystern，SchoolofPhysicsandElectrics，HenanUniversity，Kaifeng 75OOl 2．DepartmentofPhysics，UniversityofScienceandTechnologyofChina，Hefei230026 Supportedby theNationalNatura]ScienceFoundationofChinaNos50472009and ManuscriptreceivedApril19，2007；in revisedform M ay29，2007． T0whom correspondenceshouldbeaddressed，Tel：f055113606004，E-mail：fuzx@ustc．edu．an ABSTRACT 6H-SiC 矧mswithhighcrystalqualityandgoodSUrfacemorphologyweregrownon (I_ planeAI2O3f0001)SUbstratesbyalow-pressureverticalchemicalvapordeposition(LPCVD)．1tiSfound thatthecrysta…nequalitvofthe矧msinitiallYincreaseandthendecreasewiththedecreaseofflow rateof C3H8．suggestingthatthetransportcontrolprocesschangedfrom surfacetransport controlattheinitial growthstateandthenchangedtomasstransport contro1．The俐m withbe