GaN半导体研究与进展.pdf

DOI : 10. 13250 /j . nki .wndz . 1999. 04. 002 10 半导体情报　　　　　　　 36　 4　1999 8 GaN 顾忠良 (河北半导体研究所, 石家庄　050051) 　介绍了 GaN 器件制备的关键技术以及 GaN 半导体在微电 和光电 领域的研究 进展情况。 　氮化镓　光电 　微电 　宽带隙半导体 　 365　 30 TN TN Research and Development of GaN Semiconductor Gu Zhongliang ( H ebei Semiconduc tor R esearch Inst itu te , Shij iaz huang 050051) Abstract　 In this paper, the key te h nologies for GaN materials and devi es are review ed. The progress of GaN semi ondu tor in mi roele troni s and optoele troni s is presented. Keywords　GaN　Optoele troni s　Mi roele troni s　 Wide bandgap semi ondu tor 1　引　言 2　 材料特性 GaN , GaN GaN , , 。 GaN ,, GaN LED ; GaN 。 GaN 、 , GaN。 GaN 、 、 、 , 、 , 、 。 GaN 1、 2。 , 、 , SiC GaN , Ge、 Si 90、 、 、 , GaAs InP , , 、 , 、 。 , : 1999- 06- 03 36　 4　1999 8　　　　　　　半导体情报 11 。 M BEⅢ-Ⅴ 1　 GaN , M BE E ( 300 K)= 3. 39eV 。 g GaN E