NiFeCr／NiFe／MgO／Ta薄膜制备及热处理研究.pdfVIP

能 财 料 2013年第18期(44)卷 文章编号：1001—9731(2013)18—2630—03 NiFeCr／NiFe／MgO／Ta薄膜制备及热处理研究 李明华，李 伟，滕 蛟 ，于广华 (北京科技大学 材料学院材料物理与化学系，北京 100083) 摘 要 ： 采 用磁 控 溅射 制 备 了 NiFeCr(4．5nm)／ NiFe／A1O 界面对 自旋电子所起到的 “镜面反射”作 NiFe(10nm)／MgO(4．0nm)／Ta(5．0nm)薄膜，并对薄 用 ，大幅提高了NiFe薄膜的磁 电阻变化率及磁场灵敏 膜进行真空磁场退火。退火后薄膜磁 电阻变化率显著 度 ]。随后的研究发现以MgO代替 Al。(_)。可以有更 提 高，400。C退火后达到 3．O2 ，之后随着退火温度的 显著的效果 ]。插在Ta／NiFe的AlO。(或者 MgO) 升高，磁 电阻变化率下降。xRD结果表 明，薄膜不仅 提高了材料的磁 电阻变化率 ，但薄膜在制备态和较低 具有很 强