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微电子工艺（周琦）chapter11.pdfVIP

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  • 2017-05-10 发布于浙江
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微电子工艺（周琦）chapter11.pdf

    第十一章第十一章 扩散和离子注入 微固学院 周琦 zhhouqi@i@uesttc.eddu.cn 1 1111.11 引引 言言 掺杂原因掺杂原因：  本征硅导电能力很差本征硅导电能力很差。 在硅中加入在硅中加入一定数量和种类的定数量和种类的杂质杂质， 改变其电学性质，并使掺入的杂质数 量和分布情况都满足要求。 2 1111.11 引引 言言 扩散：掺杂总量及浓度分布受扩散时间和 温度影响温度影响；；形成形成特征尺寸较大特征尺寸较大；；扩散温度扩散温度 较高，需氧化物或氮化物作为掩膜。 掺 杂 方 离子注入：杂质总量及浓度分布受

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