开关断开时︰I0,开关两端电阻为.pptVIP

* * 开关断开时：I = 0,开关两端电阻为∞。 开关闭合时：R = 0, 开关两端电压为0。 开关动作瞬时完成。 以上三点不受温度等环境因素影响。 在脉冲与数字电路中，晶体管经常被当作开关（电子开关）来使用，那么晶体管工作于开关状态其开关特性是什么？ 开关元件的作用是能把电路接通和断开。接通就是要元件呈现很小的电阻，最好接近于短路；断开就是要元件呈现很大的电阻，最好接近于开路。 硅二极管的伏安特性如图所示： 由于二极管具有单向导电性，外加正向电压时导通，外加反向电压时截止。所以，二极管是受外加电压极性控制的开关。 正向特性： 硅二极管导通，伏安特性曲线非常陡峭。正向压降为0.7V的恒压源。 反向特性： 硅二极管截止，反相电流很小，一般在1μΑ以下，反相运用时，硅二极管相当于断开的开关。 锗二极管的伏安特性如图所示： 正向特性： 锗二极管导通，正向伏安特性变化缓慢。正向压降随正向电流的增加而增加。可用等效电阻RD表示。 反向特性： 锗二极管截止，反向电流较大，一般在0.01~0.3mΑ。通常用恒流源表示反向反向偏置锗二极管。恒流源的大小等于锗二极管的反向电流值。 通常情况下，可以将硅、锗二极管看作是理想开关，截止认为开路，导通视为短路。 VD 0 ID VD0,二极管反偏，二极管电阻∞，电流为0。 等效开关断开。 当外加电压 VD ? V t h 时: VD0,二极管正偏，管压降为0,有大电流流过。 等效开关闭合。 当外加电压 VD 和 V t h 相比，不可忽略时： 二极管导通后，其管压降认为是恒定的，且不随电流变化而改变。典型值硅管0.7V，锗管0.3V Vth VD 0 ID VI VO K 2.二极管反向恢复时间： 理想情况下： 当 VI = VF 时，二极管正偏而导通。 当 VI = -VR时，二极管反偏而截至。 二极管由导通变为截止状态是不能瞬间完成。 + - VI VDF 实际情况，二极管反偏时： 当 VI = VF 时，二极管导通。 当 VI由＋VF下跳到－VR瞬间， 二极管仍然导通，PN结两端仍有很小管压降。只有经过一段时间t R以后，流经二极管的电流才近似等于反向电流 IO 。 t R ：反向恢复时间。t R = t s + t f t s ：存储时间。 t f ：下降时间。 反向电流 + - VI VDF PN结正偏时，在外电压作用下，PN结两端多数载流子不断向对方扩散，P区的空穴扩散到N区，N区的电子扩散到P区。P区存有大量电子，N区存有大量空穴。 当外加电压由＋VF下跳到－VR时： P区积累的大量电子被反向电场拉回到N区， N区积累的大量空穴被反向电场拉回到P区。形成电子、空穴漂移电流，这两个漂移电流就构成了反向电流 i R = -VR/RL 。 存储时间 ts : 反向电流 i R 使存储电荷逐渐消失,靠近空间电荷区的存储电荷消失的比较快,当空间电荷区的边界处没有存储电荷时,二极管由正偏转向反偏。存储时间结束。 下降时间 tf : 二极管由正偏转向反偏以后，反向电流随漂移电流的减少而减小。一般认为反向电流近似为 ：－0.1 VR / RL时，下降时间 t f 结束。t R一般只有几个 ns ①、限幅原理： 利用二极管单向导电性,完成限幅。在理想模型下,VD 0 二极管导通。VD0 二极管截至。 ②、限幅用途： 整形 波形变换 波形选择 ③、限幅电路的三种形式： 串连限幅 并联限幅 双向限幅 二极管和输出端串联。 限幅条件：R ? rd 当 Vi 0, D 导通，VO = Vi 。 当 Vi 0, D 截至，VO = 0 。 二极管负极输出是下限幅，即限幅电平为0的下限幅器。 二极管正极输出是上限幅， 即限幅电平为0的上限幅器。 VI D R VO VI D R VO Vi E , D 导通。 VO = Vi Vi E ，D 截止。 VO = E + - VI D R VO E 特点：二极管和输出端并联 并联上限幅 并联下限幅 VI D R VO VO VI D R 串联双向限幅器 限幅条件：V2V1 ，D2 正偏导通，D1反偏截止。D1能否导通看 A 点电位。 Vi VA ： D1 止、 D2 导。 VO=VA VA Vi V2 :D1、D2 均导。 VO=Vi Vi V2：D1 导、D2 止。 VO=V2 并联双向限幅器用同样分析方法。 在输入端不加信