2015第7次课第五章半导体异质结中的二维电子气及调制掺杂器件选编.pptVIP

问题？ 二维电子气 HEMT 二维电子气系统的态密度 三角势阱的能级特点 量子极限 第五章半导体异质结中的二维电子气及调制掺杂器件 5.1 二维电子气简介 5.2 方形势阱中粒子的运动特性 5.3 异质结量子势阱中的二维电子气 一维和二维物理又称为低维物理。 物理上的研究价值和强烈的应用背景。 制作技术主要采用MBE和MOCVD。 1966 由Fowler等人首先提出。Si-MOS 反型层存在着磁阻振荡。在垂直于反型层的z方向电子是量子化的。 既Si-MOS 反型层是一个准二维电子气系统。 二维电子气是指在空间z方向电子被限制在一个薄层内的系统。 二维电子气散射几率比3-DEG的小得多，有效迁移率将较高。 5.1 二维电子气简介 5.1.1低维物理及其应用 基于低维半导体材料的量子器件的特性 低维半导体材料是一种人工设计、制造的新型半导体材料, 是新一代量子器件的基础。 ? 基于它的纳米电子学器件和电路具有超高速、超高频 ( 1000GHz )、高集成度 ( 1010元器件/cm2 ) 和高效、低功耗等特点。 ? 基于它的光电子器件，如量子点激光器等，则有 极低的阈值电流 ( 亚微安 ) 、极高的量子效率、极高的调制速度、极窄的线宽和高的特征温度等。 ? 这些特性在未来的纳米电子学、光电子学、光子学和新一代 VLSI 以及光电集成、光集成等方面有