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§3 常用光电探测器简介 一、光敏电阻 光电导效应原理（半导体材料的体效应）——光电导探测器 ——光照下改变自身的电阻率（光照愈强,器件自身的电阻愈小） ——光敏电阻（光导管） 本征型光敏电阻 —— 一般在室温下工作 适用于可见光和近红外辐射探测 非本征型光敏电阻—— 通常在低温条件下工作 常用于中、远红外辐射探测 1. 光敏电阻的结构和偏置电路 以CdS光敏电阻为例 2. 工作特性 （1）光敏响应特性 （2）光照特性和伏安特性 光照特性曲线 线性伏安特性 （3）时间响应特性 光敏电阻的响应时间常数是由电流上升时间和衰减时间表示的。 光敏电阻的响应时间与入射光的照度，所加电压、负载电阻及照度变化前电阻所经历的时间（称为前历时间）等因素有关。 （4）稳定特性 光敏电阻的阻值随温度变化而变化的变化率,在弱光照和强光照时都较大,而中等光照时,则较小。 例：CdS光敏电阻的温度系数在10lx照度时约为0；照度高于10lx时，温度系数为正；小于10lx时，温度系数反而为负；照度偏离10lx愈多，温度系数也愈大。 另外，当环境温度在0～+60℃的范围内时，光敏电阻的响应速度几乎不变；而在低温环境下，光敏电阻的响应速度变慢。例如，-30℃时的响应时间约为+20℃时的两倍。 光敏电阻的允许功耗,随着环境温度的升高而降低。 （5）噪声特性 3.几种典型的光敏电阻 （1）CdS和CdSe 低造价、可见光辐射探测器 光电导增益比较高(103～104) 响应时间比较长(大约50ms) （2）PbS 近红外辐射探测器 波长响应范围在1～3.4μm，峰值响应波长为2μm 内阻（暗阻）大约为1MΩ 响应时间约200μs （3）InSb 在77k下,噪声性能大大改善 峰值响应波长为5μm 响应时间短（大约50×10-9s） （4）HgxCd1-xTe探测器 化合物本征型光电导探测器,它是由HgTe和GdTe两种材料混在一起的固溶体,其禁带宽度随组分x呈线性变化。 当x=0.2时响应波长为8～14μm,工作温度77k，用液氮致冷。 4. 使用注意事项 （1）用于测光的光源光谱特性必须与光敏电阻的光敏特性匹配; （2）要防止光敏电阻受杂散光的影响; （3）要防止使光敏电阻的电参数(电压、功耗)超过允许值； （4）根据不同用途,选用不同特性的光敏电阻。 二、硅光电池——太阳电池 零偏压pn结光伏探测器——光伏工作模式——光电池 硅光电池的用途：光电探测器件，电源 1. 短路电流和开路电压 光电池等效电路 短路电流——RL=0 开路电压——RL=∞ 单片硅光电池的开路电压约为0.45～0.6V，短路电流密度约为150～300A/m2。 测量方法：在一定光功率（例如1kW/m2）照射下，使光电池两端开路，用一高内阻直流毫伏表或电位差计接在光电池两端，测量出开路电压；在同样条件下，将光电池两端用一低内阻（小于1Ω）电流表短接，电流表的示值即为短路电流。 2. 光谱、频率响应及温度特性 光电池的频率特性不太好。 在强光照射或聚光照射情况下，必须考虑光电池的工作温度及散热措施。通常Si光电池使用的温度不允许超过125℃。 三、光电二极管 反偏电压pn结光伏探测器——光导工作模式——光电二极管 Si光电二极管 （1）结构原理 （2）光谱响应特性和光电灵敏度 （4）伏安特性 （4）频率响应特性 频率特性好,适宜于快速变化的光信号探测。 光电二极管的频率特性响应主要由三个因素决定：(a)光生载流子在耗尽层附近的扩散时间；(b)光生载流子在耗尽层内的漂移时间；(c)与负载电阻RL并联的结电容Ci所决定的电路时间常数。 2. PIN硅光电二极管 3.雪崩光电二极管（APD） 4.光电三极管 四、光热探测器 1. 热敏电阻 热敏电阻——由Mn、Ni、Co、Cu氧化物，或Ge、Si、InSb等半导体材料做成的电阻器，其阻值随温度而变化。 电阻随温度变化的规律： 式中： 称为热敏电阻的温度系数,称为正温度系数,称为负温度系数。 2. 热释电探测器 利用热释电效应制成的探测器称为热释电探测器。 常用热释电材料：硫酸三月甘 肽（TGS）、铌酸锶钡（SBN）、钽酸锂（LT）、钛酸铅陶瓷（PT）、钛酸锆酸铅陶瓷（PZT）等。 SBN在大气中性能稳定，热电系数大，响应速度快（τ1ns）。在光通信，雷达技术中有使用前途。 1 9