一种基于源测量单元的IGBT的电气参数测量方法.pdfVIP

第23卷 第3期 仪器仪表用户 EIC Vo1．23 2016年3月 NSTRUM EN1ATlON 2016 No．3 一 种基于源测量单元的IGBT的电气参数测量方法 陈向俊 (浙江省特种设备检验研究院，杭州I310022) 摘 要：提出了一种利用源测量单元测量IGBT模块电气参数的方法。该方法是在分析源测量单元的测量原理基础 上 ，提出了2线本地和4线远程接法在IGBT模块参数测量中的应用。针对不同的研究目的，该方案即适用于密封的 IGBT模块 ，又适合于开启的IGBT模块。基于源测量单元所获取的IGBT模块电气参数 ，可以用于准确表征其健康状 态，为构建表征其健康状态的典型数据特征提供基础。 关键词：源测量单元；绝缘栅双极型晶体管；健康状态；电气参数 中图分类号 ：T 文献标识码：A 文章编号：1671—1041(2016)03—0068—04 AmearsuringM ethodofElectricalParametersinIGBTModuleBased onSourceM easureUnit ChenXiangjun (ZhejiangProvincialSpecialEquipmentInspectionandResearchInstitute，Hangzhou，310022，China) Abstract：A methodthatmeasureselectricalparametersofIGBTmodulebysourcemeasureunitfSMU1iSproposedinthis paper．ThetwowirelocalandfourwireremotesensingmeasurementofSMUcanbeusedtomeasureparametersinIGBTmodule basedonanalyingthemeasurementprincipleofSMU．Inaddition，accordingtodifferentresearchpurposes，themethodcanbe usedinclosedIGBTmoduleoropenIGBTmodule．Thedatum ofeleetriealparametersofIGBTmodulefrom SMUcanindicate accurllyilshealthstate．whichmayprovideresearchfoundationforconstructtypicaldatacharacteristicsthatindicateheahhstate ofIGBTmodule． Keywords：sourcemeasureunit(SMU)；insulatedgatebipolartransist0r(IGBT)；healthstate；electricalparameter 用一台Keithley2400系列SMU便完成测试过程，节省了空 间和编程时间。基于虚拟仪器技术及Rymaszewski四探针 源测量单元 (SourceMeasureUnit，简称SMU)是一种 组合法 ，文献 [3】设计了薄膜电阻率 自动化测量系统。在虚 高精度电源仪器，它提供 1毫伏以上的电压源与测量精度 拟仪器软件LabVIEW和数字量输出模块NI9401的控制下， 和 1微安以上的电流源与测量精度，还提供了远端检测功 利用