一种电压输出型CMOS集成电容湿度传感器.pdfVIP

2014年第33卷第 9期 传感器与微系统 (TransducerandMicrosystemTechnologies) 71 DOI：10．13873／J．1000-9787(2014)09-0071-03 一 种 电压输出型 CMOS集成 电容湿度传感器 曾新亮，黄宝瑞 (延安大学 物理与电子信息学院。陕西 延安 716000) 摘 要：设计一种湿度传感器。该传感器选用聚酰亚胺作为湿度传感器的感湿介质，采用叉指电容式结 构以增加感湿灵敏度，以电荷转移电路为微电容测量电路 ，用0．35 m多晶硅栅进行设计，形成单片集成 湿度传感器。整个组成电路均与CMOS工艺兼容。仿真结果表明：在测量激励方波激励下，片上湿度传感 器在27℃下模拟显示出较好的直流电压输出特性。 关键词：CMOS兼容工艺 ；介电常数；湿敏电容器；电荷转移；电压输出 中图分类号：TP212．1 文献标识码：A 文章编号：1000—9787(2014)09-0071-03 A voltageoutputCM OSintegratedcapacitivehumiditysensor CAO Xin-liang，HUANG Bao—rui (SchoolofPhysicsandElectronicsInformation，Yan’anUniversity，Yan’an716000，China) Abstract：A humidity sensor is designed．The sensor use polyimide as humidity sensing medium and interdigitatedcapacitivestructureto increasehumiditysensingsensitivity，charge—shift circuitareemployed in microcapacitancemeasurementcircuit，use0．35p．m poly·silicongratingdesign，fabricatemonolighicintegrated humiditysensor．Overallcircuitiscompatiblewith CMOS technology．Resultsofsimulation show thaton chip humiditysensorshow goodDCvoltageoutputcharacteristicsat27℃ dfivedbyexcitingsquarewave． Key words： CMOS compatible technoloyg ；dielectric constant；humidity sensitive capacitor；charge shift； voltageoutput 0 引 言 CMOS电路、右侧为与 CMOS工艺兼容的平面梳状湿度传 在片感测系统是传感器微型化、集成化和智能化发展 感器；湿敏感测处理电路所用的标准固定电容器是以高掺 的必然趋势。微电容式湿度传感器因其结构简单，相对于 杂P型层为下极板、栅氧化层为介质、多晶硅为上极板制成 电阻式感湿器件温度适应性强、电容测量方式具有干扰小 MOS电容器，控制栅氧化层的厚度可做成 比较精确的标准 及精度高等特点而为微传感器技术领域所关注 。早在 参考电容器。 1988年 ，英国SilverthorneSV 第一次尝试将湿度传感器 图2为又指湿敏电容器 的平面结构图，2 为又指宽 与测量电路集成在同一芯片上，湿敏电容器为三明治结构 ，