S2 光电探测器件 02汇.pptVIP

C2 光电探测器件;2 光电探测器件;光电探测器的性能参数 ;2.2.1光电探测器的响应特性 ;2.2.1光电探测器的响应特性;2.2.1光电探测器的响应特性;2.2.1光电探测器的响应特性;2.2.1光电探测器的响应特性;2.2.1光电探测器的响应特性;2.2.1光电探测器的响应特性;2.2.1光电探测器的响应特性;光电流i(或光电压u)和入射光功率P之间的关系i＝f (P)，称为探测器的光电特性。;2.2.1光电探测器的响应特性;2.2.1光电探测器的响应特性;2.2.1光电探测器的响应特性;2.2.1光电探测器的响应特性;德国Advanced Laser Diode Systems公司提供带宽可达35GHz、响应频率范围覆盖400nm到1.6 μm 的高速光电二极管。该光电二极管采用MSM（金属-半导体-金属）的结构，具有非常低的电容、电阻，因而具有极高的响应速度。其冲击响应振荡极小，常适于高速光源时间或频率特性探测。;探测器对突然光照的输出电流，要经过一定时间才能上升到与这一辐射功率相应的稳定值i。;以u，P，λ为参变量，i＝F（f）的关系称为光电频率特性，相应的曲线称为频率特性曲线。;2.2.1光电探测器的响应特性;灵敏度R是从宏观角度描述了光电探测器的光电、光谱以及 频率特性 量子效率η则是对同一个问题的微观—宏观描述。;从灵敏度R的定义式;噪声的存在，限制了探测微弱信号的能力。 通常认为，如果信号光功率产生的信号光电流is等于噪声电流in，那么就认为刚刚能探测到光信号存在。 ;(电压信噪比) ;NEP越小，探测器探测能力越高，不符合人们“越大越好”的习惯，于是取NEP的倒数并定义为探测度D，即;探测器的噪声功率N ∝Δf，所以;把两种因素一并考虑，;例：已知某探测器的面积为3×4cm2，D*=1011cmHz1/2w-1，光电仪器的带宽为300Hz，该仪器所能探测的光辐射的最小辐射功率？ 解：由D*的定义： 其中：Ad=3×4cm2，D*=1011cmHz1/2w-1，Δ?=300Hz 代入，得该仪器所能探测的光辐射的最小辐射功率Pmin=6×10-10W ;主要分为:有形噪声和无规噪声 前者一般可以预知，因而总可以设法减少和消除。 后者来自物理系统内部，表现为一种无规则起伏。;(1)来自被研究系统的外部;(2)来自被研究系统内部;噪声电压随时间无规则起伏情况。 显然，无法用预先确知的时间函数来描述它。 然而，噪声本身是统计独立的，所以能用统计的方法来描述。 长时间看，噪声电压从零向上涨和向下落的机会是相等的，其时间平均值一定为零。所以用时间平均值无法描述噪声大小。 ;噪声电压的起伏是毫无规则，无法预知的，但其方均根电压却具有确定值。 方均根噪声电压un，即 由于产生探测器起伏噪声的因素往往很多，且这些因素又彼此独立，所以总的噪声功率等于各种独立的噪声功率之和，即 ;把探测器输出的方均根噪声电压(电流)称为探测器的噪声电压(电流)。 显然，探测噪声的存在，就使得探测器对光信号的探测本领受到一个限制。 在频域中，若噪声电压为un(t)，则其付里叶变换对为;自相关定义为： 其满足绝对可积条件，因而它的变换谱存在，即 在自相关定义中，令t＝0，则;式中 表示噪声电压平方的平均值， 它的物理意义：噪声电压消耗在1Ω电阻上的平均功率。;它们是单位频带噪声电压消耗在1Ω电阻上的平均功率，称为噪声电压的功率谱。; ;1.散粒噪声： 无光照下，由于热激发作用，而随机地产生电子所造成的起伏（以光电子发射为例）。 由于起伏单元是电子电荷量e，故称为散粒噪声，这种噪声存在于所有光电探测器中。 热激发散粒方均噪声电流为 其有效值为 相应的噪声电压为 如果探测器具有内增益M，则上式还应乘以M。 散粒噪声是与频率无关与带宽有关的白噪声 ;2.产生－复合噪声 半导体受光时，载流子不断产生-复合。在平衡状态，载流子产生和复合的平均数是一定的，但在某一瞬间载流子的产生数和复合数是有起伏的。载流子浓度的起伏引起半导体电导率的起伏。在外电压下，电导率的起伏使输出电流中带有产生-复合噪声。产生复合噪声电流均方值为;3.光子噪声 以上是热激发作用产生的散粒噪声。假定忽略热激发作用，即认为热激发直流电流Id为零。 由于光子本身也服从统计规律。我们平常说的恒定光功率，实际上是光子数的统计平均值，而每一瞬时到达探测器的光子数是随机的。 因此，光激发的载流子一定也是随机的，也要产生起伏噪声，即散粒噪声。因为这里强调光子起伏，故称为光子噪声。 它是探测器的极限噪声，不管是信号光还是背景光，都要伴随着光子噪声，而且光功率愈大，光子噪声也愈大。于是我们只要把id用ib和is代替，即可得到光子噪声的表达式。;即光子散粒噪声电