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3.6 晶体振荡器 (Crystal Oscillator) 3.6晶体振荡器 (Crystal Oscillator) 一,晶体谐振器(Crystal Resonator) 二,晶体振荡器电路(Circuit of Crystal Oscillators) 二,晶体振荡器电路(Circuit of Crystal Oscillators) 2.振荡条件的近似分析 3电路的谐振频率的估算: 二,晶体振荡器电路(Circuit of Crystal Oscillators) 二,晶体振荡器电路(Circuit of Crystal Oscillators) 二,晶体振荡器电路(Circuit of Crystal Oscillators) * 休息2 休息1 Co Cg Co Cg5 Cg3 Cg Lg Lg3 Lg5 Lg Rg Co Cg Lg Rg fq fp 电容性 电容性 电感性 f Xq O 国产B45 1MHz中等精度晶体的等效参数如下：Lq= 4.00H，Cq=0.0063pF， rq≤100～200Ω ，Co=2～3 pF。因而晶体的品质因数Qq很大，一般为几万至几百万 ≥（12 500～25 000） C L JT C1 C2 JT EC JT C2 C3 C1 Rb1 Rb2 Cb Re Lc 仿真 晶体 C1 C2 JT C3 Lq Cq rq Co C1 C2 C3 gmube gie gmube C1 C3 Cq Lq rq Co C2 C1 C2 JT C3 Rq Xq + ube — + ube — 仿真 Lq rq Cq Co CL Lq Cq rq Co C1 C2 C3 gmube g3ie C1 Cc Ce Rb1 Rb2 Re L1 L Ec JT C2 C1 C2 L1 JT 休息1 休息2 C1 C2 C3 JT L Rb1 Rb2 Rc Re Cb Cc C1 C2 C3 JT Co L Ec 休息1 休息2 ? ? ωq ? ω ? 返回 继续 ? 休息1 休息2 ωq ω p 电容性 电容性 电感性 f Xq O * 一,晶体谐振器(Crystal Resonator) 振荡回路的标准性和品质因数Q值是影响振荡 器频率稳定性的关键因素,为了提高振荡回路的标 准性和Q值. 选用优质材料和先进的工艺结构,但从工艺水 平看,Q值超过300相当困难. 尽管减弱负载和晶体管本身的回路的藕合,这 会引起等效谐振阻抗小,不易起振. 利用石英晶体的压电效应,将它作为振荡回路 元件构成石英晶体振荡器,可以获得很高的频率稳 定度. 一,晶体谐振器(Crystal Resonator) 1,石英晶体等效电路 其中 C0晶体静态电容, Cg:基频等效电容, Lg:等效电感, Rg:等效电阻, 一般:Lg很大, Cg值很小,Q值可达百万(106)量 级,Rg不大 2,串,并联谐振频率 串联谐振频率: 并联谐振频率: 一般=(0.002---0.003) 3,晶体谐振器电抗特性Xq 并联型晶体振荡器: 晶体以电感元件方式接入振荡电路,振荡频率 串联型晶体振荡器: 晶体以低阻抗方式串接在晶体与晶体管之间,振荡频率 1,并联型晶体振荡器(PARALLEL CRYSTAL OSCILLATORS) 这类晶体振荡器的振荡原因和一般反馈型LC振荡器相同,只要把晶体置于反馈网络和振荡回路中,作为一个感性元件,并与其它回路元件一起按照三点式电路的基本准则组成三点式振荡器. 常用的有两种基本类型: Pierce Ocsillators (c---b)型振荡器 Millor Ocsillators (b---e)型振荡器 (1 ) Pierce ocsillators 电路结构 右图为典型的并联晶体振荡器,晶体接在集电极与基极之间,振荡器工作频率为f,且有,晶体呈电感性,相当于Clapp电路. C1, C2即是谐振回路的一部分,又构成反馈回路.C3即作为减弱晶体管与晶体间的藕合电容,也作为振荡频率的微调电容. 如果忽略yre, yoe=goe+jωCoe , Cie的作用.其高频小信号等效电路如右图所示: 在忽略gie的负载作用后的等 效电路如下右图所示,可推出: 其中： , 1当振荡平衡时: 令其虚部为零,可得振荡频率由:决定 2． 由起振条件: 即有: 注意: 以上只是在考虑到晶体损耗的情况下的起振条件.当具体考虑到振荡电路中的其它损耗(如负载,输入电阻gie, 输出goe),而忽略晶体的损耗时,则振荡器起振条件与电容三点式相同,即其中为各种损耗等效到集电极-发射极间的总电导. 利用二项式展开,并忽略高次项可得: 另外由右图可以看出,晶体管与晶