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PH1090-75L
PH1090-75L
Avionics Pulsed Power Transistor
75W, 1030-1090 MHz, 250µs Pulse, 10% Duty Rev. V1
Features Outline Drawing
NPN silicon microwave power transistors
Common base configuration
Broadband Class C operation
High efficiency inter-digitized geometry
Diffused emitter ballasting resistors
Gold metallization system
Internal input and output impedance matching
Hermetic metal/ceramic package
RoHS Compliant
Absolute Maximum Ratings at 25°C
Parameter Symbol Rating Units
Collector-Emitter Voltage VCES 70 V
Emitter-Base Voltage VEBO 3.0 V
Collector Current (Peak) IC 6 A
Power Dissipation @ +25°C PTOT 117 W
Storage Temperature TSTG -65 to +200 °C
Junction Temperature TJ 200 °C
Electrical Specifications: TC = 25 ± 5°C (Room Ambient )
Parameter Test Conditions Frequency Symbol Min Max Units
Collector-Emitter Breakdown Voltage IC = 35mA BVCES 70 - V
Collector-Emitter Leakage Current VCE = 40V ICES - 3.5 mA
Thermal Resistance Vcc = 45V, Pout = 75W F = 1030, 1090 MHz RTH(JC) - 1.5 °C/W
Input Power Vcc = 45V, Pout = 75W F = 1030, 1090 MHz Pin
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