1电力电子器件–第3讲.pptVIP

(1-*) 1.4 典型全控型器件 门极可关断晶闸管——在晶闸管问世后不久出现。 20世纪80年代以来，电力电子技术进入了一个崭新时代。 典型代表——门极可关断晶闸管、电力晶体管、电力场效应晶体管、绝缘栅双极晶体管。 0 引言 (1-*) 常用的典型全控型器件 电力MOSFET IGBT单管及模块 (1-*) 1 门极可关断晶闸管 晶闸管的一种派生器件。 可以通过在门极施加负的脉冲电流使其关断。 是电流控制型器件，因而在关断时需要很大的反向驱动电流； 通态压降大、du/dt及di/dt耐量低，需要庞大的吸收电路。 GTO容量最大、工作频率最低(1～2kHz)。 电压、电流容量较大，与普通晶闸管接近，因而在兆瓦级以上的大功率场合仍有较多的应用。 目前，GTO虽然在低于2000V的某些领域内已被GTR和IGBT等所替代，但它在大功率电力牵引中有明显优势；它也必将在高压领域占有一席之地。 门极可关断晶闸管（Gate-Turn-Off Thyristor —GTO） (1-*) A G K GTO的内部结构和电气图形符号 a) 各单元的阴极、门极间隔排列的图形 b) 并联单元结构断面示意图 c) 电气图形符号 GTO的结构 与普通晶闸管的相同点： PNPN四层半导体结构，外部引出阳极、阴极和门极。 和普通晶闸管的不同点：GTO是一种多元的功率集成器件。 (1-*) 正向导通过程和晶闸管类似。 设计?2较大，使晶体管V2控制灵敏 ，易于关断。 3 导通时?1+?2更接近1，导通时接近临 界饱和，有利门极控制关断，但导通 时管压降增大。 普通晶闸管（ ?1+?2 ≈1.15） GTO （略大于1） 临界饱和利于门级负脉冲关断，但导通时管压降增大。 4 对门级加入负关断脉冲，形成- Ig ，相当于抽出Ic1电流，形成正反馈，最后?1+?21，等效晶体管退出饱和，阳极电流下降到零而关断。 5 多元集成结构，使得P2基区横向电阻很小，能从门极抽出较大电流。 GTO的工作原理： (1-*) GTO导通过程与普通晶闸管一样，只是导通时饱和程度较浅。 GTO关断过程中能够在负的门极电压作用下引起足够大的负门控电流而关断。 多元集成结构还使GTO比普通晶闸管开通过程快，承受di/dt能力强 。 结论： (1-*) GTO的伏安特性 GTO的特性 (1-*) 开通过程：与普通晶闸管相同 关断过程：与普通晶闸管有所不同 储存时间ts，使等效晶体管退出饱和。 下降时间tf 尾部时间tt —残存载流子复合。 通常tf比ts小得多，而tt比ts要长。 门极负脉冲电流幅值越大，ts越短。 GTO的开通和关断过程电流波形 GTO的开关特性 (1-*) —— 延迟时间与上升时间之和。延迟时间一般约1~2?s。 —— 一般指储存时间和下降时间之和，不包括尾部时间。下降时间一般小于2?s。本书中指3项之和 （2） 关断时间toff （1）开通时间ton 不少GTO都制造成逆导型，类似于逆导晶闸管，需承受反压时，应和电力二极管串联 。 许多参数和普通晶闸管相应的参数意义相同，以下只介绍意义不同的参数。 GTO的主要参数 (1-*) （3）最大可关断阳极电流IATO （4） 电流关断增益?off ?off一般很小，只有5左右，这是GTO的一个主要缺点。1000A的GTO关断时门极负脉冲电流峰值要200A 。 ——GTO额定电流。 ——最大可关断阳极电流与门极负脉冲电流最大值IGM之比称为电流关断增益。 （1-8） (1-*) 2 电力晶体管（双极型功率晶体管） 电力晶体管（Giant Transistor——GTR，直译为巨型晶体管）通常指耗散功率大于1W的晶体管 。 是一种耐高电压、大电流的晶体管（Bipolar Junction Transistor——BJT），英文有时候也称为Power BJT，与GTR名称等效。 术语用法： 应用 20世纪80年代以来，在中、小功率范围内取代晶闸管，但目前又大多被IGBT和电力MOSFET取代。 (1-*) 与普通的晶体管基本原理是一样的。 主要特性是耐压高、电流大、开关特性好。 采用集成电路工艺将许多这种单元并联而成 。 BJT的结构、电气图形符号和内部载流子的流动 a) 内部结构断面示意图 b) 电气图形符号 c) 内部载流子的流动 BJT的结构和工作原理 (1-*) 在应用中，BJT一般采用共发射极接法。 集电极电流ic与基极电流ib之比为