表面上石墨烯、硅烯等低维体系的电子结构及角分辨光电子谱.PDFVIP

表面上石墨烯、硅烯等低维体系的电子结构 及角分辨光电子谱的模拟 陈明星 教授 湖南师范大学物理与信息科学学院 报告摘要： 以石墨烯、MoS2为代表二维体系由于展现出新奇的物理性质受到了广泛关注。显然， 不论人们利用分子束外延技术生长这些材料还是将其应用于未来的电子元器件中，与 衬底形成的界面将会对这些低维体系的电子性质产生重要影响。比如，钛酸锶表面上 生长的单层铁硒薄膜超导转变温度可能超过77 K ，大大高于其块体８Ｋ左右的超导转 变温度。由于薄膜和衬底是两种不同性质的材料，两者之间常常存在较大的晶格失配。 采用第一性原理方法模拟这些界面结构需要构建一个巨大的超胞，尽可能减小两者的 晶格失配。超胞的使用产生能带折叠，给理论分析表面上生长的薄膜的电子结构和其 中的界面效应带来困难。本报告将介绍我们自己发展的用于消除能带折叠的方法－ｋ 投影方法以及应用该方法研究表面上生长的石墨烯、硅烯、单层铁硒薄膜的能带结构 和解释相关的ARPES实验。 报告人简介： 陈明星，湖南师范大学 “潇湘学者”特聘教授。2004年、2007年分别从湘潭 大学获得本科和硕士学位，2012年从维也纳大学获得博士学位。之后在维也 纳大学、威斯康星大学密尔沃基分校从事博士后研究工作。研究方向为计算 凝聚态物理。主要研究工作集中在表面低维体系和界面结构的第一性原理电 子结构计算以及相关方法发展。独立开发了两套程序： （１）结合第一性原 理软件包VASP 与玻尔兹曼输运方程研究材料的热电输运性质v2boltz ； （２） 研究掺杂和界面体系电子结构的能带反折叠程序KPROJ 。共发表 SCI 论文 20篇，包括Nature Communications 2篇，Nano Letters 1篇，Physical Review B 等SCI 二区期刊论文 11 篇。研究工作被国内外同行在Nature 、Review Modern Physics 、Physical Review Letters等引用并得到了高度评价。 报告时间: 2017年04月06 日 （周四）上午10:30-11:30 报告地点: 南校区双超所211会议室 联 系 人：孟建桥 （jqmeng@csu.edu.cn ）