第9章微电子制造工艺解释.ppt

1  《电子产品制造技术》（补充资料） 第9章 微电子制造常用工艺技术原理 光刻技术 光刻技术:集成电路（IC）制造中利用光学- 化学反应原理和化学、物理刻蚀方法，将电路图形传递到单晶表面或介质层上，形成有效图形窗口或功能图形的工艺技术。 随着半导体技术的发展，光刻技术传递图形的尺寸限度缩小了2～3个数量级（从毫米级到亚微米级），已从常规光学技术发展到应用电子束、 X射线、微离子束、激光等新技术；使用波长已从4000埃扩展到 0.1数量级范围。 埃:光刻技术公制长度单位，一万万分之一厘米，常用以表示光波的波长及其他微小长度。成为一种精密的微细加工技术。 光刻技术简介 光刻技术是在一片平整的硅片上构建半导体MOS管和电路的基础，这其中包含有很多步骤与流程。首先要在硅片上涂上一层耐腐蚀的光刻胶，随后让强光通过一块刻有电路图案的镂空掩模板MASK照射在硅片上。被照射到的部分(如源区和漏区)光刻胶会发生变质，而构筑栅区的地方不会被照射到，所以光刻胶会仍旧粘连在上面。接下来就是用腐蚀性液体清洗硅片，变质的光刻胶被除去，露出下面的硅片，而栅区在光刻胶的保护下不会受到影响。随后就是粒子沉积、掩膜、刻线等操作，直到最后形成成品晶片WAFER。 基本光刻工艺流程简介 常规光刻技术是采用波长为2000～4500埃的紫外光作为图像信息