几种常用IGBT单体缓冲吸收电路的原理.doc

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2017-05-17 发布于天津
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几种常用IGBT单体缓冲吸收电路的原理

几种常用IGBT单体缓冲吸收电路的原理 RS单体吸收电路（1）抑制关断浪涌电压效果好（2）最适用于斩波器（3）IGBT容量较大时，R1，R2阻值选取小，开通时增加了IGBT集电极的容性开通电流，损耗增加，IGBT的功能受到限制。充电RCD单体吸收电路（1）可抑制关断浪涌电压（2）充放电型RCD缓冲电路由于增加了二极管VDS，可使R3、R4增大，避免了IGBT功能受限制（3）缓冲电路的损耗相当大（4）因损耗大而不适用于高频开关用途放电阻止型单体吸收电路（1）具有较好抑制关断浪涌电压效果（2）缓冲电路产生的损耗小（3）最适合于高频开关用途 C整体吸收电路（1）线路最简单（2）利用C7旁路浪涌尖峰电压（3）C7取值不当，易与主回路电感LS构成谐振而产生振荡（4）C7的取值根据能量守恒原理可求取 RCD整体吸收电路（1）线路相当简单（2）适用于各种逆变器（3）VDS要示正向恢复电压VFM小，反向恢复时间短，软恢复的二极管，以降低Vcep值。关断损耗，避免引起振荡