电子科大《集成电路工艺》第十三章解释.ppt

* * 光刻胶最基本的组成是在有机溶剂中的一种聚合物溶液止在各种工艺条件下，光刻胶都必须有良好的性能、包括涂胶、旋转、烘焙、显影、离子注人、刻蚀。在硅片应用中，用到许多类型的光刻胶f一种都具有其与光刻工艺要求直接相关的自身物理特性。一种专用的光刻胶基于以下物理特性才被选中: * 随着特征尺寸减小，分辨相邻图形越困难。 * * （a）感光性官能团种类与含量、增感剂浓度； (b) 杂质的减感作用； （c）光刻胶干燥程度：光刻胶中溶剂减弱灵敏度； (d) 光刻胶膜的厚度，光刻胶膜越薄，体积/面积比 减小，灵敏度下降。 * 能量源以辐射的形式，典型的是紫外光源。将光敏光刻胶制成与特定的紫外光波长有化学响应。紫外光一直是形成光刻图形常用的能量源，并会在接下来的一段时间内继续沿用。大体上说，深紫外光(DUV)指的是波长在300nm以下的光。 * * ?? * 光刻的传统I线光刻胶是那些适用于I线紫外波长(365nm)的光刻胶，对应于关键尺寸在0.35μm以上的非关键层的光刻都适用，这种情况包括负胶和正胶，尽管正胶是最常用的。注意I线光刻胶的特性也同时代表了G线436nm和H线(405nm)波长所用的光刻胶的基本特性。 * 负胶的树脂通常是一种化学的惰性聚异戊气烯聚合物，这是一种天然橡胶。光刻胶的感光利是一种经过合适波长的紫外光曝光后释放出氮气的光敏剂，产生自由基在橡胶分子间形成交联。经紫外光曝光形成的交联橡胶变得不溶于显影液。同时，光刻胶未曝光的区域再在影液中被冲去。其优点是负胶曝光速度快，对硅片的粘附性好。缺点在于：显影时曝光区域容易由溶剂引起泡胀；曝光时光刻胶可与氮气反应从而抑制其交联。 1. 光刻胶树脂是悬浮在溶剂中的 2_曝光使光敏感光剂释放出氮气 3.释放出的氮气产生自由基 4。自山夔通过交联像胶聚合物‘不溶于显影液)使光刻胶聚 * 正性I线光刻胶是I光刻中最常用的光刻胶。其中的树脂材料是一种叫做线性酚醛树脂的酚醛甲醛。线性酚醛树脂的一种常见用途就是作为木质胶合板粘在一起的粘着剂。线性酚醛树脂是一种长链聚合物，它形成了光刻胶胶膜的关键特性，比如良好的粘附性和化学抗蚀性，使它成为后续工艺(如刻蚀)可接受的保护层。当没有溶解抑制剂存在时，线性酚醛树脂会溶解在显影液溶剂中。正性I线光刻胶中的感光剂是光敏化合物(PAC)，最常见的是重氮萘醌。正胶的优点：① 在光刻胶的未曝光区域不受显影液的影响，因为光刻胶最初就不落解，并保持这种性质。这样在光刻过程中转移到光刻胶上的极细线条的图形会保持线宽和形状，产生良好的线宽分辨率。原来的正胶只有很弱的粘附力，但现在的正胶已被设计得具有更令入满意的粘附性。② 正胶具有好的分辨率。因为对比度高，正胶可以更好地分辨掩膜版的亮区和暗区，在光刻胶上产生陡直的转移图形。正胶具有良好的对比特性是由于光刻胶侧墙陡直使其产生更好的线宽分辨率。 * 在光刻胶的未曝光区域不受显影液的影响，因为光刻胶最初就不落解，并保持这种性质。这样在光刻过程中转移到光刻胶上的极细线条的图形会保持线宽和形状，产生良好的线宽分辨率。 * * 深紫外(DUV)光刻胶。在20世纪90年代后期，为了在关键层上得到0.25μm的关键尺寸，必须要减小曝光光源的波长到250nm左右，这个值相当于深紫外(DUV)248nm的紫外波长。 标准的I线光刻胶由于缺乏对更小波长的敏感性，所以不能被制作0.25或以下关键尺寸的深紫外波长所接受。光刻胶有一个要转移令人满意的图形所需最小能量值的敏感性问题，如果I线光刻胶具有过度的光吸收，那么光线就不能渗透光刻胶的整个厚度，导致不彻底曝光和粗劣的图形形状。而I线光刻胶差的光敏感性将需要更长的曝光时间，导致硅片处理能力下降。 * 随着一种基于化学放大的DUV波长光刻胶的引入，光刻胶技术发生了一个重大的变化。化学放大(CA)的意思是对于那些DNQ（重氮萘醌）线性酚醛树脂极大地增加它们的敏感性，所有的正性和负性248nm的光刻胶都可以化学放大。 近年来，CA DUV光刻胶技术经历了长足的发展，对于所有CA DUV光刻胶树脂的基本原则是：树脂需要化学保护团使其不能溶于含水的显影液。在光刻胶的DUV曝光区域由PAG产生酸，在曝光后烘焙步骤加热时，通过催化反应，将保护团移走。DUV光刻胶加热后，曝过光的树脂便可溶于显影液。当前，己有合适的CA DUV胶用于193nm波长曝光，并形成180nm的关键尺寸线条。 1.具有保护团的酚醛树脂使之不溶于显影液 2.光酸产生剂在曝光时产生酸 3.曝光区域产生的酸作为催化剂，在曝光后热烘过程中移除树脂保护团 4不含保护团的光刻胶曝光区域溶解于以水为主要成分的显影液 * 刻胶最主要的一个优点是曝光速度快。 * 适用于深紫外(DUv)波长的化学放大(CA)光刻胶 * 光刻的第三步：