氮化铝粉体制备技术的研究现状与展望.pdfVIP

维普资讯 学兔兔 第 18卷第 3期 粉 末 冶 金 工 业 Vo1．18 No．3 2008年6月 PoWDER METALLURGY INDUSTRY June 2008 氮化铝粉体制备技术的研究现状与展望 王柳燕，张 宁 (沈阳大学科技中心，辽宁沈阳 110044) 摘 要：阐述了氮化铝粉体可作为新型高热导率基板材料原料的理由。对国内外AlN粉体制 备技术的特点和研究进展进行了综述，对氮化铝粉体的制备技术进行了展望。 关键词：氮化铝粉体；基板材料；制备技术 中图分类号：TF125．4 文献标识码：A 文章编号：1006—6543(2008)03—0042—05 CURRENT STATUS AND PRoSPECT oF PREPARATIoN TECHNoLoGY oF NANOMETER ALUMINUM NITRIDE PoWDER WANG Liu-yan。ZHANG Ning (Scientific Technology Research Center，Shenyang University，Shenyang 110044，China) Abstract：The reason for A1N powder being a new high thermal conductivity packaging mate— rial is introduced．The characteristics and development of preparation techniques for alumi— num nitride powder are reviewed with prospects． Key words：aluminum nitride powder；packaging material；preparation technique 随着体积小、重量轻、功能性强、自动化程度高 胀系数等一系列优良特点的A1N陶瓷(319 W／m· 电子设备的日益发展，必须要求可靠性高、体积小、 K)成为当今最理想的基板材料和电子器件封装材 重量轻、功率密度高、开关速度快、抗干扰能力强的 料，并日益受到国内外学者的广泛重视与研究口]。 相应电子系统来满足。而这些电子系统的主要特点 陶瓷基板的成形主要有压膜，干压和流延成形 3种 是大规模集成电路的高度密集化，电路触点分布密 方法。其中以流延法成形生产效率最高，且易于实 度的急剧增大，随之而带来的负面效应是单位面积 现生产的连续化和自动化，可改善产品质量，降低成 电子器件的发热量急剧增加。这些热量若不能及时 本，实现大批量生产，生产的基片厚度可以薄至 1O 由基板散发出去，电子元件难以正常工作，甚至被烧 m以下，厚至 1 mm以上。流延成形法是 AlN陶 毁，使整个电子系统瘫痪。解决散热问题应采用新 瓷基片向实用化转化的重要一步，有着重要的应用 型高热导率基板材料。 前景l_2 ]。要实现 AlN基片的实用化就