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光电激发简述 光电子能谱(EDC) 发射光电子能量分部曲线 I=Ip+Is Ip :未受到非弹性散射的电子 Is :受到散射作用的二次电子 Ip=P*T*D P:原始激发光电子 T:传输函数 D:逃逸函数 三步模型 1.光电子激发:将电子从初态激发到非占据的终态 2.传输过程:被激发光电子从终态传输到样品表面 3.逃离过程:穿过表面势垒 光激发过程P Ek=hv-E Ek被激发光子动能 hv入射光子能量 ?E为费米能级与电子初态能级差 此过程对电子能谱的Ip结构起主要决定作用 传输过程 定义定义 为电子的平均自由程或逃逸深度, 衰减长度L:光线性吸收系数的倒数 光的传输函数 : T~(电子平均自由程/衰减长度) 在光激发深度为L的范围内,只有离表面距离小于 时才能无碰撞达到固体表面 T不对光电子的能量分部曲线的表达式Ip引入特殊结构 平均自由程 其一:主要由两种作用使光电子传输过程受到散射影响其 逃逸深度 1.电子与电子相互作用 2.受晶格振动影响产生电子-声子散射(电子能量较低) 其二:与电子能量有关,总体有一个随着电子能量增加平 均自由程先减小后增大的形式 原因:光电子会引起等离子激元的激发而损失能量 平均自由程普适曲线 等离激元振荡频率主要由金属中自由电子的密度决定,不同金属大致相同。 逃逸过程 逃逸函数可表为阶跃函数 D=1 (hv>Ef-Ei+?) D=0 (hv<Ef-Ei+?) D也不会对光电子能谱IP引入特殊结构 由于决定IP的三个函数中的T,D对光电子能谱的结构影响不大,故EDC结构主要由原始激发过程P决定的 光电子能谱是以光电发射的基本原理作为基础的。 光电子能谱研究的主要是那些未发生非弹性碰撞的光电子。收集出射电子 得到光电子能谱。利用能量守恒关系式通过末态电子能量可得 知初态电子信息 影响能谱结构因素 1.电子初态结构 电子各个占据态在受激发后到达真空被收集,在能谱中表现出不同的能谱结构。 2.入射光子能量 入射光子能量较小时,价带中只有部分能态电子能直接跃迁出。 入射光子能量较大时,结构中的任一初态电子均能有足够能量跃迁到末态,可将末态电子看成近自由电子近似。 光电子能谱曲线在一定程度上能够反映占有态的态密度 谢 谢 ! * * * * *
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