CMOS模拟集成电路设计ch5电流镜”.pptVIP

电流镜 CMOS模拟集成电路设计 电流镜 提纲 1、基本电流镜 2、共源共栅电流镜 3、电流镜作负载的差动对 Review：MOS电流源 处于饱和区的MOS管可以作为一种电流源 1、基本电流镜 电流源的设计是基于对基准电流的“复制”； 两个都工作在饱和区且具有相等栅源电压的相同晶体管传输相同的电流（忽略沟道长度调制效应）。 按比例复制电流 （忽略沟道长度调制效应） 例子： 实际设计中，所有晶体管采用相同的栅长，以减小由于源漏区边缘扩散所产生的误差。 采用叉指结构。 如图，每个叉指的W为5±0.1μm ，则M1和M2的实际的W为： W1＝5±0.1μm, W2＝4(5±0.1)μm 则IOUT/IREF= 4(5±0.1)/ (5±0.1)=4 2、共源共栅电流镜 沟道长度调制效应使得电流镜像产生极大误差， 共源共栅电流源 为了抑制沟道长度调制的影响，可以采用共源共栅电流源。共源共栅结构可以使底部晶体管免受VP变化的影响。 共源共栅电流镜 共源共栅电流镜 确定共源共栅电流源的偏置电压Vb，采用共源共栅电流镜结构。 共源共栅电流镜消耗了电压余度 忽略衬偏效应且假设所有晶体管都是相同的，则P点所允许的最小电压值等于 低电压工作（大输出摆幅）的共源共栅电流镜 如图(a)，共源共栅输入输出短接结