模拟电子技术第三章场效应三极管.pptVIP

3.2 场效应管及其放大电路 3.2.1 绝缘栅场效应管 2. 耗尽型绝缘栅场效应管 2. 耗尽型绝缘栅场效应管 2. 耗尽型绝缘栅场效应管 耗尽型 3. 场效应管的主要参数 场效应管与晶体管的比较 3.2.2 场效应管放大电路 3.2.2 场效应管放大电路 1.自给偏压式偏置电路 (2) 动态分析 (1) 开启电压 UGS(th)：是增强型MOS管的参数 (2) 夹断电压 UGS(off)： (3) 饱和漏电流 IDSS： 是结型和耗尽型 MOS管的参数 (4) 低频跨导 gm：表示栅源电压对漏极电流 的控制能力 极限参数：最大漏极电流、耗散功率、击穿电压。 电流控制 电压控制 控制方式 电子和空穴两种载 流子同时参与导电 载流子 电子或空穴中一种 载流子参与导电 类 型 NPN和PNP N沟道和P沟道 放大参数 rce很高 rds很高 输出电阻 输入电阻 较低 较高 双极型三极管 单极型场效应管 热稳定性 差 好 制造工艺 较复杂 简单，成本低 对应电极 B—E—C G—S—D 场效应晶体管具有输入电阻高、噪声低等优点，常用于多级放大电路的输入级以及要求噪声低的放大电路。 场效应管的源极、漏极、栅极相当于双极型晶体管的发射极、集电极、基极。 场效应管的共源极放大电路和源极输出器与双极型晶体管的共发射极放大电路和射极输出器在结构上也相类似。 场效应管放大电路的分析与双极型晶体管放大电路一样，包括静态分析和动态分析。 栅源电压UGS是由场效应管自身的电流提供的，故称自给偏压。 UGS = –RSIS = –RSID +UDD RS CS C2 C1 RD RG + T + _ + _ ui uo IS + _ UGS T为N沟道耗尽型场效应管 增强型MOS管因UGS=0时， ID? 0，故不能采用自给偏压式电路。 * 第三章 场效应三极管 结型场效应管 绝缘栅场效应管 场效应管的主要参数 下页 总目录 场效应三极管中参与导电的只有一种极性的载流子（多数载流子），故称为单极型三极管。 分类： 结型场效应管 绝缘栅场效应管 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 N沟道 P沟道 P沟道 下页 上页 首页 一、结型场效应管 1. 结构 N型沟道 耗尽层 g d s g d s P+ P+ N沟道结型场效应管的结构和符号 栅极 漏极 源极 下页 上页 首页 2. 工作原理 uGS = 0 uGS 0 uGS = UGS(off) ⑴ 当uDS = 0 时， uGS 对耗尽层和导电沟道的影响。 ID=0 ID=0 下页 上页 首页 N型沟道 g d s P+ P+ N型沟道 g d s P+ P+ g d s P+ P+ 沟道较宽，iD 较大。 iS = iD iD iS iD iS uGS=0，uGD UGS(off) uGS 0，uGDUGS(off) ⑵ 当uDS ＞ 0 时， uGS 对耗尽层和 iD 的影响。 N P+ P+ VGG VDD g d s N P+ P+ VDD g d s 沟道变窄， iD 较小。 下页 上页 首页 N P+ P+ iD iS VGG VDD P+ P+ iD iS VGG VDD uGS 0，uGD= UGS(off)， uGS ≤ UGS(off) ，uGD UGS(off)， iD ≈ 0， 导电沟道夹断。 iD更小， 导电沟道预夹断。 下页 上页 首页 3. 特性曲线 ⑴ 转移特性 iD = f（uGS）|uDS=常数 g d s mA V V ID VGG VDD 场效应管特性曲线测试电路 Ｎ沟道结型场效应管转移特性　 IDSS UGS(off) 饱和漏极电流 栅源间加反向电压 uGS 0 利用场效应管输入电阻高的优点。 uGS/V iD/mA O 下页 上页 首页 ⑵ 漏极特性 iD=f（uDS）|uGS=常数 预夹断轨迹 可变 电阻区 恒流区 击穿区 |UGS(off)|8V IDSS uGS=0 -4 -2 -6 -8 iD/mA uDS/V O |uDS-uGS|= |UG