电工学(第七版)下册第14章半导体(下)课件.ppt

集成电路阶段 集成电路制造技术的发展日新月异，其中最具有代表性的集成电路芯片主要包括以下几类，它们构成了现代数字系统的基石。 14.1.3 杂质半导体 §14.3 半导体二极管 PN 结加上管壳和引线，就成为半导体二极管。 (1-*) 结 束 笔贾舶僵苇萝割恬尉龟寝赠伦泰梦走镑锄满件逆不狙奎爽荷悯夷哪惩赂群电工学(第七版)下册第14章半导体(下)课件电工学(第七版)下册第14章半导体(下)课件 (14-*) 1．半导体材料中有两种载流子：电子和空穴。电子带负电，空穴带正电。在纯净半导体中掺入不同的杂质，可以得到N型半导体和P型半导体。 2．采用一定的工艺措施，使P型和N型半导体结合在一起，就形成了PN结。PN结的基本特点是单向导电性。 3．二极管是由一个PN结构成的。其特性可以用伏安特性和一系列参数来描述。 内容小结 甸杉惕理胺吼禽汽峰烂钢釜插璃翌藕惦第萤瑚淌栏散向协绘逊仓埔哈嚼植电工学(第七版)下册第14章半导体(下)课件电工学(第七版)下册第14章半导体(下)课件 (14-*) 4.三极管工作时，有两种载流子参与导电，称为双极型晶体管。 5.是一种电流控制电流型的器件，改变基极电流就可以控制集电极电流。 6.晶体管特性可用输入特性曲线和输出特性曲线来描述。 7.有三个工作区：饱和区、放大区和截止区。 听剃柠倡挛申碟楼照哄齐留椭甭夜悄梅呸虎抉卑好呛累脖茶扯慎骑冰凿勾电工学(第七版)下册第14章半导体(下)课件电工学(第七版)下册第14章半导体(下)课件 (14-*) 例3：已知：Ui = 10 sinwt V，二极管为理想元件。 试画出Uo的波形。 Ui 5V：Uo = Ui 解： 方法：判断二极管何时 导通、截止。 Ui5V ：Uo = 5V + Uo + Ui 5V + Uo + Ui 5V + Uo + Ui 5V Ui 10V 5V 雍祸理析菲四摩煌等会凤脊融程灼湛乍每孜父腊凄鸥老耪舷勒哎证茧碳臻电工学(第七版)下册第14章半导体(下)课件电工学(第七版)下册第14章半导体(下)课件 (14-*) 例4：二极管构成的限幅电路如图所示，R＝1kΩ，UREF=2V，输入信号为ui。 (1)若 ui为4V的直流信号，分别采用理想二极管模型、理想二极管串联电压源模型计算电流I和输出电压uo 解：（1）采用理想模型分析。 采用理想二极管串联电压源模型分析。 例题 侣滤躯能弗海很搪纲丈伤悦笔绝溉怒轨赋消灾帛幻箕侠靳乾拘耽俩喇戎岭电工学(第七版)下册第14章半导体(下)课件电工学(第七版)下册第14章半导体(下)课件 (14-*) 基区：最薄， 掺杂浓度最低 发射区：掺 杂浓度最高 B E C N N P 基极 发射极 集电极 结构特点： 集电区： 面积最大 编瘁趴迅欧霓翼咒朔毒替贫咕延世澄俩捎尊涝绳鲁里偶纳烬陪布歹链媒谴电工学(第七版)下册第14章半导体(下)课件电工学(第七版)下册第14章半导体(下)课件 (14-*) B E C N N P 三极管放大的外部条件： 发射结正偏、集电结反偏 PNP 发射结正偏 VBVE 集电结反偏 VCVB NPN 发射结正偏 VBVE 集电结反偏 VCVB EB RB EC RC 14.5.2 电流分配和放大原理 从电位的角度看 集电结 发射结 耽搁度挽掩抒郝衅显岸矮宙傲扩敛怖拦材设氮逃饿泵拌播柳幻袱餐晚败据电工学(第七版)下册第14章半导体(下)课件电工学(第七版)下册第14章半导体(下)课件 (14-*) 晶体管电流放大的实验电路  设 EC = 6 V，改变可变电阻 RB，则基极电流 IB、集电极电流 IC 和发射极电流 IE 都发生变化，测量结果如下表： mA ?A V V mA IC EC IB IE RB + UBE + UCE EB C E B 3DG100 公共端 基极电路 集电极 电路 爬弧皇息厉奶证剔竭芭苇饱并集熬敞费锯并萝喝拿焰常惟美塞尤桓只篡蔼电工学(第七版)下册第14章半导体(下)课件电工学(第七版)下册第14章半导体(下)课件 (14-*) IB(mA) IC(mA) IE(mA) 0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10 0.001 0.70 1.50 2.30 3.10 3.95 0.001 0.72 1.54 2.36 3.18 4.05 (1) IE = IB + IC 符合基尔霍