电磁兼容与课件第7讲.ppt

龚建强 西安电子科技大学 2012年03月27号 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 7.1 无限长磁性圆柱腔的静磁屏蔽效能 屏蔽圆柱腔内的静磁场 将内、外半径分别为a、b，磁导率为μ的无限长磁性材料圆柱腔放入均匀磁场B0中。设B0＝xB0，圆柱腔轴沿圆柱坐标系(r，θ，z)的z 轴，如图1所示。因所论区域没有传导电流，且媒质分区均匀，因此，可用磁标位求解各区域中的场。 设Um1、Um2、Um3分别表示圆柱腔内(r＜a)、圆柱腔壁(a＜r＜b)和圆柱腔外(r＞b)的磁标位，则它们满足拉普拉斯方程 ?2Umi＝0 (i＝1，2，3) (7-1) 和边界条件(μr是圆柱腔壁的相对磁导率) (7-2) Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 屏蔽圆柱腔内的静磁场 Laplace算子?2的一般形式为（Hi为拉梅系数，i = 1, 2, 3） 因此圆柱坐标系中的拉普拉斯方程为 由于原问题为二维问题，磁标位沿z轴不变化 无限长磁性圆柱腔的静磁屏蔽效能 (7-3) (7-4) (7-5) 图2 无限长磁性圆柱腔横截面 分离变量 (7-6) 代入(7-5), 可得两个常微分方程 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 屏蔽圆柱腔内的静磁场 无限长磁性圆柱腔的静磁屏蔽效能 由(7-8)和(7-9)可得磁标位的一般解为 远离圆柱腔处，不计磁化电荷的影响，磁场仍是B0＝μH0， 磁标位则为 以及 (7-8) (7-9) (7-10) 若令r = 0处，Um = 0，则磁标位的解应为 (7-11) 式中，A0、B0、An、Bn、Cn、Dn为待定常数。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 屏蔽圆柱腔内的静磁场 无限长磁性圆柱腔的静磁屏蔽效能 －H0x＝－H0rcosθ (H0＝－?Um) 所以有自然边界条件为 满足(7-2)和(7-12)的磁标位解可简化为 将(7-13)代入(7-2)中，可得矩阵方程(H0＝B0/μ0) r→∞, Um3＝－H0rcosθ (7-12) Ｕm3＝－H0rcosθ＋Ar－1cosθＵm2＝(Cr＋Dr－1)cosθ Ｕm1＝Frcosθ (7-13) (7-14) Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 屏蔽圆柱腔内的静磁场 无限长磁性圆柱腔的静磁屏蔽效能 (7-15) 式中：K＝b2(μr＋1)2－a2(μr－1)2。 已知常数F代入式(7-13)，并且考虑到H＝－?Um，可获得 圆柱腔内的磁标位和静磁场： (7-16) Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 圆柱腔的静磁屏蔽效能分析 无限长磁性圆柱腔的静磁屏蔽效能 为获得屏蔽效能的表达式，令p＝b2/a2，则由(7-16)第二式得 (7-17) 若μr1，那么(7-17)可近似为 如果圆柱腔壁厚度t＝b－a，平均半径R＝(a＋b)/2，且满足大半径、薄壁的条件(a2≈b2≈R2)时，（7-18)可近似为 于是圆柱腔的静磁屏蔽效能可分别表示为 (7-18) (7-19) (7-20) Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 圆柱腔的