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第四章 场效应三极管及其放大电路 4.1.1 N沟道增强型MOSFET 4.1.2 N沟道增强型MOSFET 4.1.3 P沟道MOSFET 4.1.4 JFET场效应三极管放大电路 4.1.5 各种场效应型三极管性能比较 4.1 半导体场效应管4.1.1N沟道增强型MOSFET 1.结构、符号 2.工作原理 ②当UGS≥UGS（th）时，uDS对iD的控制作用 3．特性曲线 （1）输出特性曲线 可变电阻区（线性电阻区） 恒流区（饱和区或放大区） ② 转移特性曲线 转移特性曲线是指UDS一定时，uGS对iD的影响，即iD=f(uGS)?UDS=const。 4.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 1.结构、符号和工作原理 2.特性曲线 4.1.3 P沟道MOSFET P沟道MOSFET的工作原理与N沟道 MOSFET完全相同，只不过导电的载流 子不同，供电电压极性不同而已。这如 同双极型三极管有NPN型和PNP型一样。 4.1.4 结型场效应三极管 1、结型场效应三极管的结构 （1）N沟道： 它是在N型半导体硅片的两侧各制造一个PN结，形成两个PN结夹着一个N型沟道的结构。一个P区即为栅极，N型硅的一端是漏极，一端是源极。 2、 结型场效应三极管的工作原理 根据结型场效应三极管的结构，PN结只能工作在反偏的条件下，对于N沟道结型场效应三极管只能工作在负栅压区，P沟道的只能工作在正栅压区，否则将会出现栅流。现以N沟道为例说明其工作原理。 ① 漏源电压对沟道的控制作用 当UDS增加到使UGD=UGS-UDS= UGS(off) 时，在紧靠漏极处出现预夹断。当VDS继续增加，漏极处的夹断继续向源极方向生长延长。 漏源电压对沟道的控制作用（动画4-5） ②栅源电压对沟道的控制作用 当UDS=Const时，加UGS＜0， PN结反偏，形成耗尽层，︱UGS ︱减小（反向增加）时，漏、源间的 沟道将变窄，iD将减小，UGS继续减小，沟道继续变 窄，iD继续减小直至为0。当漏极电流为零时所对应 的栅源电压UGS称为夹断电压UP。 这一过程见动画4-5。 3、结型场效应三极管的特性曲线 JFET的特性曲线有两条，一是转移特性曲线，二是输出特性曲线。 结型场效应三极管的栅源电压：P沟道的为正N沟道为负。 JFET的特性曲线如图4.2所示。 4.1.5 各种FET的特性及使用注意事项 1 六种FET的共同特点： ⑴ 栅极电流 iG = 0 ⑵ 只有一种载流子参与导电，N沟道的导电载流子是电子，而P沟道的导电载流子是空穴。而BJT有两种载流子参与导电。 ⑶ 均是用输入电压控制输出电流的半导体器，直流输入电阻很高。 ⑷ 制造工艺简单、成本低、功耗小、便于集成。 ⑸ N沟道的三种FET其工作电压uDS＞0，P沟道的三种FET其工作电压uDS＜0。 4.2 场效应三极管的参数 (1) 场效应三极管的参数 ① 开启电压UGS(th) (或UT) 开启电压是MOS增强型管的参数，栅源电压小于 开启电压的绝对值, 场效应管不能导通。 ④ 输入电阻RGS 场效应三极管的栅源输入电阻的典型值，对于结型场效应三极管，反偏时RGS约大于107Ω，对于绝缘栅型场效应三极管, RGS约是109～1015Ω。 (2) 场效应三极管的型号 场效应三极管的型号, 现行有两种命名方法。其 一是与双极型三极管相同，第三位字母J代表结型场 效应管，O代表绝缘栅场效应管。第二位字母代表 材料，D是P型硅，反型层是N沟道；C是N型硅P沟 道。例如,3DJ6D是结型N沟道场效应三极管，3DO6C 是绝缘栅型N沟道场效应三极管。 几种常用的场效应三极管的主要参数见表04.02。 半导体三极管图片 半导体三极管图片 4.3 FET放大电路的分析方法 4.3.1 FET的交流小信号线性化模型 4.3.2 FET放大电路分析 4.3.1 FET的交流小信号线性化模型 例4.3.1共源组态基本放大电路 例4.3.2 共漏组态基本放大电路 例4.3.3 共栅组态基本放大电路 共栅组态放大电路如图4.23所示，其微变等效电路如图4.24所示。 例4.3.4 多级放大电路 绝缘栅场效应管 N 沟 道 耗 尽 型 P 沟 道 耗 尽 型 结型场效应管 N 沟 道 耗 尽 型